摘要 | 第8-11页 |
Abstract | 第11-13页 |
第一章 绪论 | 第14-22页 |
第一节 自旋电子学简介 | 第14-19页 |
1.1.1 铁磁材料中的自旋电子学的发展 | 第15-16页 |
1.1.2 半导体材料中自旋电子学的发展 | 第16-19页 |
第二节 磁性半导体 | 第19-20页 |
第三节 本文的研究动机及研究方法 | 第20-22页 |
第二章 样品的制备与表征方法 | 第22-35页 |
第一节 溅射镀膜技术的介绍 | 第22-24页 |
2.1.1 磁控溅射 | 第23-24页 |
2.1.2 射频溅射 | 第24页 |
第二节 分子束外延技术介绍 | 第24-26页 |
第三节 实验中使用的仪器介绍 | 第26-28页 |
2.3.1 JGP560型双室超高真空三靶共溅射设备 | 第26-27页 |
2.3.2 超高真空分子束外延装置 | 第27-28页 |
第四节 样品性质表征的技术 | 第28-35页 |
2.4.1 X射线衍射仪(XRD) | 第28-29页 |
2.4.2 交变梯度磁强计(AGM) | 第29-31页 |
2.4.3 超导量子干涉仪(SQUID) | 第31-32页 |
2.4.4 透射电子显微镜(TEM) | 第32-35页 |
第三章 单晶薄膜Zn_(0.85-x)Mg_xCo_(0.15)O的徽结构表征 | 第35-41页 |
第一节 引言 | 第35页 |
第二节 样品制备细节及TEM样品的制备 | 第35-38页 |
3.2.1 样品的制备 | 第35-37页 |
3.2.2 实验细节 | 第37-38页 |
第三节 样品的结构表征 | 第38-40页 |
第四节 本章小结 | 第40-41页 |
第四章 外延单晶薄膜Co_(0.5)(Mg_(0.55)Zn_(0.45))_(0.5)O_(1-v)微结构表征与磁性分析 | 第41-50页 |
第一节 引言 | 第41-42页 |
第二节 实验方法 | 第42-44页 |
4.2.1 平面类型TEM样品 | 第42-43页 |
4.2.2 Co_(0.5)(Mg_(0.55)Zn_(0.45))_(0.5)O_(1-v)薄膜样品制备与测量 | 第43-44页 |
第三节 样品薄膜的微结构表征与磁性分析 | 第44-49页 |
4.3.1 样品薄膜的微结构表征 | 第44-45页 |
4.3.2 样品薄膜的磁性与微结构分析 | 第45-49页 |
第四节 本章小结 | 第49-50页 |
第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
第一节 本论文的主要内容和结果 | 第50页 |
第二节 论文创新 | 第50-51页 |
第三节 展望 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-56页 |
致谢 | 第56-58页 |
硕士期间发表的文章 | 第58-59页 |
参加的学术会议 | 第59-60页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第60页 |