摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-36页 |
1.1 碳纤维概述 | 第12-21页 |
1.1.1 碳纤维的定义及分类 | 第12-13页 |
1.1.2 碳纤维的优异性质 | 第13-14页 |
1.1.3 碳纤维的发展 | 第14-16页 |
1.1.4 碳纤维的应用 | 第16-18页 |
1.1.5 碳纤维的缺点 | 第18-19页 |
1.1.6 提高碳纤维抗氧化性能的途径 | 第19-21页 |
1.2 碳纤维表面涂层体系 | 第21-26页 |
1.2.1 玻璃涂层 | 第21页 |
1.2.2 金属涂层 | 第21-23页 |
1.2.3 陶瓷涂层 | 第23-25页 |
1.2.4 复合涂层 | 第25-26页 |
1.3 碳纤维表面SiC涂层的制备方法 | 第26-31页 |
1.3.1 溶胶-凝胶法 | 第26-27页 |
1.3.2 化学气相沉积法 | 第27-28页 |
1.3.3 前驱体浸渍裂解法 | 第28-29页 |
1.3.4 碳热还原法 | 第29-30页 |
1.3.5 熔融盐法 | 第30-31页 |
1.4 微波技术的发展及应用 | 第31-34页 |
1.4.1 微波技术的发展 | 第31-32页 |
1.4.2 微波加热的特点 | 第32-33页 |
1.4.3 微波技术在陶瓷材料中的应用 | 第33-34页 |
1.5 研究内容 | 第34-36页 |
1.5.1 基于高能微波辐照技术快速合成C/SiC同轴纤维 | 第34页 |
1.5.2 C/SiC同轴纤维的结构表征与性能测试 | 第34-35页 |
1.5.3 创新点 | 第35-36页 |
第二章 实验方案及方法 | 第36-41页 |
2.1 实验原料及仪器 | 第36-37页 |
2.1.1 实验原料 | 第36页 |
2.1.2 实验仪器 | 第36-37页 |
2.2 样品制备方法 | 第37-38页 |
2.2.1 以硅粉、二氧化硅粉等作为硅源 | 第37页 |
2.2.2 以正硅酸乙酯溶液作为硅源 | 第37-38页 |
2.3 微观结构表征 | 第38-40页 |
2.3.1 X射线衍射分析仪 | 第38-39页 |
2.3.2 透射电子显微镜 | 第39页 |
2.3.3 扫描电子显微镜 | 第39-40页 |
2.4 抗氧化性能测试方法 | 第40-41页 |
2.4.1 等温氧化测试 | 第40页 |
2.4.2 同步热分析仪 | 第40-41页 |
第三章 高能微波辐照法合成C/SiC同轴纤维的微观结构表征 | 第41-48页 |
3.1 高能微波辐照法快速制备C/SiC同轴纤维 | 第41页 |
3.2 C/SiC同轴纤维的产物形貌与元素分析 | 第41-44页 |
3.3 C/SiC同轴纤维的XRD物相分析 | 第44-45页 |
3.4 C/SiC同轴纤维的TEM分析 | 第45页 |
3.5 C/SiC同轴纤维的生长过程分析 | 第45-47页 |
3.6 本章小结 | 第47-48页 |
第四章 影响C/SiC同轴纤维合成效果的因素分析 | 第48-78页 |
4.1 以Si粉+SiO_2粉(无定形态)为硅源 | 第48-62页 |
4.1.1 微波功率的影响 | 第49-55页 |
4.1.2 微波辐照时间的影响 | 第55-62页 |
4.2 以Si粉+SiO_2粉(纳米级)为硅源 | 第62-69页 |
4.2.1 微波功率的影响 | 第62-65页 |
4.2.2 微波辐照时间的影响 | 第65-69页 |
4.3 以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源 | 第69-77页 |
4.3.1 微波参数的影响 | 第69-71页 |
4.3.2 碳纤维放置方式的影响 | 第71-76页 |
4.3.3 以TEOS为硅源合成C/SiC同轴纤维的生长机理 | 第76-77页 |
4.4 本章小结 | 第77-78页 |
第五章 C/SiC同轴纤维的高温抗氧化性能分析 | 第78-86页 |
5.1 C/SiC同轴纤维的静态等温氧化测试 | 第78-82页 |
5.2 C/SiC同轴纤维的TG-DSC测试 | 第82-85页 |
5.3 本章小结 | 第85-86页 |
第六章 结论与展望 | 第86-88页 |
6.1 结论 | 第86-87页 |
6.2 展望 | 第87-88页 |
参考文献 | 第88-96页 |
攻读硕士期间的学术成果 | 第96-97页 |
致谢 | 第97页 |