N掺杂SnO2纳米材料的制备及d0铁磁性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 稀磁半导体概述 | 第10-12页 |
| 1.3 d0铁磁性 | 第12-14页 |
| 1.4 SnO_2纳米材料研究现状 | 第14-18页 |
| 1.5 CVD系统 | 第18-21页 |
| 1.6 选题意义和研究内容 | 第21-22页 |
| 2 研究方法 | 第22-27页 |
| 2.1 实验设备 | 第22-23页 |
| 2.2 实验方法和实验流程 | 第23-25页 |
| 2.3 材料测试和表征方法 | 第25-27页 |
| 3 N掺杂SnO_2纳米线d0铁磁性 | 第27-59页 |
| 3.1 N掺杂SnO_2纳米线的制备 | 第27-30页 |
| 3.2 退火温度对N掺杂量及磁性的影响 | 第30-43页 |
| 3.3 通入NH3量对N掺杂量及磁性的影响 | 第43-52页 |
| 3.4 退火时间对N掺杂量及磁性的影响 | 第52-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 4 N掺杂SnO_2纳米材料d0铁磁性来源验证 | 第59-68页 |
| 4.1 Snx Ny Oz基材料的合成及退火处理 | 第59-62页 |
| 4.2 退火温度对N掺杂量及磁性的影响 | 第62-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 5 总结 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 附录 | 第76页 |
