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相变存储器建模和模拟器设计与实现

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第11-18页
    1.1 研究背景第11-12页
    1.2 国内外研究现状第12-16页
        1.2.1 PCM相关研究第12-15页
        1.2.2 模拟器相关研究第15-16页
    1.3 本文研究第16-17页
    1.4 本文组织结构第17-18页
第2章 相关技术基础第18-29页
    2.1 PCM原理及特性第18-20页
        2.1.1 PCM基本原理第18-19页
        2.1.2 DRAM和PCM比较分析第19-20页
    2.2 DRAMSim2模拟器概述第20-24页
        2.2.1 DRAMSim2基本框架第20-22页
        2.2.2 DRAMSim中延时参数第22-24页
        2.2.3 DRAMSim仿真流程第24页
    2.3 PCM磨损均衡算法第24-28页
        2.3.1 Start-Gap算法第24-26页
        2.3.2 Security-Refresh算法第26-28页
    2.4 小结第28-29页
第3章 PCM建模和模拟器设计第29-40页
    3.1 PCM模型第29-30页
    3.2 PCM模拟器设计思路第30-31页
    3.3 PCM模拟器架构第31-33页
    3.4 PCM模拟器整体概述第33-37页
    3.5 PCM模拟器仿真流程第37-39页
    3.6 小结第39-40页
第4章 PCM模拟器的实现第40-57页
    4.1 配置信息更改第40-41页
    4.2 取消刷新机制第41-42页
    4.3 改写回写过程第42-44页
    4.4 集成常用的磨损均衡算法第44-47页
        4.4.1 集成Start-Gap算法第45-46页
        4.4.2 集成Security-refresh算法第46-47页
    4.5 集成寿命模型第47-51页
    4.6 类和方法定义第51-56页
        4.6.1 重要方法介绍第51页
        4.6.2 主要类定义第51-56页
    4.7 小结第56-57页
第5章 测试与分析第57-65页
    5.1 测试环境和方法介绍第57-58页
        5.1.1 测试环境第57-58页
        5.1.2 测试方法第58页
    5.2 实验结果与分析第58-64页
        5.2.1 延时第59-62页
        5.2.2 寿命第62-64页
    5.3 小结第64-65页
结论第65-67页
参考文献第67-72页
致谢第72-73页
附录A 攻读学位期间所发表的学术论文第73-74页
附录B 攻读学位期间参加的科研项目第74页

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