| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-24页 |
| 1.1 石墨烯的发现、制备及应用 | 第11-16页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现 | 第11页 |
| 1.1.2 石墨烯的制备 | 第11-14页 |
| 1.1.3 石墨烯的应用 | 第14-16页 |
| 1.2 超级电容器简介及研究进展 | 第16-22页 |
| 1.2.1 超级电容器简介 | 第16-20页 |
| 1.2.2 超级电容器发展现状 | 第20-22页 |
| 1.3 研究背景及内容意义 | 第22-24页 |
| 1.3.1 课题研究背景 | 第22-23页 |
| 1.3.2 研究内容及意义 | 第23-24页 |
| 第二章 试验简介 | 第24-28页 |
| 2.1 试验试剂 | 第24页 |
| 2.2 试验设备 | 第24-25页 |
| 2.3 结构、形貌表征仪器 | 第25-26页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪（XRD） | 第25页 |
| 2.3.2 傅里叶红外光谱仪（FTIR） | 第25-26页 |
| 2.3.3 原子力显微镜（AFM） | 第26页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜+能谱仪（SEM+EDS） | 第26页 |
| 2.3.5 BET比表面分析仪 | 第26页 |
| 2.3.6 透射电子显微镜（TEM） | 第26页 |
| 2.4 超级电容器性能分析仪器 | 第26-28页 |
| 2.4.1 电极制备 | 第26-27页 |
| 2.4.2 循环伏安曲线测试 | 第27页 |
| 2.4.3 交流阻抗谱测试 | 第27-28页 |
| 第三章 化学还原石墨烯制备及性能研究 | 第28-41页 |
| 3.1 氧化石墨的制备 | 第28页 |
| 3.2 氧化石墨的表征 | 第28-32页 |
| 3.2.1 X射线衍射分析 | 第28-29页 |
| 3.2.2 傅里叶红外光谱分析 | 第29-30页 |
| 3.2.3 原子力显微镜分析 | 第30-32页 |
| 3.3 化学还原石墨烯的制备 | 第32页 |
| 3.4 化学还原石墨烯的表征 | 第32-37页 |
| 3.4.1 X射线衍射分析 | 第32-33页 |
| 3.4.2 傅里叶红外光谱分析 | 第33页 |
| 3.4.3 原子力显微镜分析 | 第33-35页 |
| 3.4.4 扫描电子显微镜分析 | 第35-36页 |
| 3.4.5 透射电子显微镜分析 | 第36-37页 |
| 3.4.6 氮气物理脱吸附测试分析 | 第37页 |
| 3.5 24h还原石墨烯超级电容器性能测试 | 第37-40页 |
| 3.5.1 循环伏安曲线测试 | 第37-39页 |
| 3.5.2 交流阻抗谱测试 | 第39-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 水热还原石墨烯制备及性能研究 | 第41-54页 |
| 4.1 水热法制备石墨烯 | 第41-42页 |
| 4.2 水热还原石墨烯表征 | 第42-50页 |
| 4.2.1 扫描电子显微镜分析 | 第42-46页 |
| 4.2.2 X射线衍射分析 | 第46页 |
| 4.2.3 傅里叶红外光谱分析 | 第46-47页 |
| 4.2.4 氮气物理脱吸附测试分析 | 第47-50页 |
| 4.3 不同形貌石墨烯超级电容器性能比较 | 第50-52页 |
| 4.3.1 循环伏安曲线测试 | 第50-51页 |
| 4.3.2 交流阻抗谱测试 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 二氧化锰及复合材料制备及性能研究 | 第54-72页 |
| 5.1 二氧化锰制备 | 第54页 |
| 5.2 二氧化锰表征 | 第54-57页 |
| 5.2.1 X射线衍射分析 | 第54-56页 |
| 5.2.2 扫描电子显微镜分析 | 第56-57页 |
| 5.2.3 傅里叶红外光谱分析 | 第57页 |
| 5.3 复合材料制备 | 第57-58页 |
| 5.4 复合材料表征 | 第58-63页 |
| 5.4.1 扫描电子显微镜及X射线能谱分析 | 第58-62页 |
| 5.4.2 傅里叶红外光谱分析 | 第62-63页 |
| 5.5 二氧化锰及复合材料超级电容器性能比较 | 第63-69页 |
| 5.5.1 电极成型压力对二氧化锰超级电容器性能的影响 | 第63-67页 |
| 5.5.2 二氧化锰与复合材料超级电容器性能比较 | 第67-69页 |
| 5.6 本章小结 | 第69-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |