| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 智能功率模块与SOI器件 | 第10-12页 |
| 1.1.1 智能功率模块介绍 | 第10-11页 |
| 1.1.2 厚膜SOI器件在单芯片智能功率模块中的应用 | 第11-12页 |
| 1.1.3 厚膜SOI器件发展遇到的问题 | 第12页 |
| 1.2 关于漂移区辅助结构的国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 研究现状 | 第13-15页 |
| 1.2.2 发展趋势 | 第15-16页 |
| 1.3 论文研究内容和设计指标 | 第16-17页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第16页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第16-17页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第17-20页 |
| 第二章 厚膜SOI器件工作原理 | 第20-32页 |
| 2.1 厚膜SOI器件耐压特性与漂移区的关系 | 第20-23页 |
| 2.2 厚膜SOI器件正向导通特性与漂移区的关系 | 第23-27页 |
| 2.2.1 厚膜SOI-LDMOS器件正向导通特性与漂移区的关系 | 第23-24页 |
| 2.2.2 厚膜SOI-LIGBT器件正向导通特性与漂移区的关系 | 第24-26页 |
| 2.2.3 厚膜SOI-FRD器件正向导通特性与漂移区的关系 | 第26-27页 |
| 2.3 厚膜SOI器件开关特性与漂移区的关系 | 第27-31页 |
| 2.3.1 厚膜SOI-LDMOS器件开关特性与漂移区的关系 | 第27-29页 |
| 2.3.2 厚膜SOI-LIGBT器件开关特性与漂移区的关系 | 第29-30页 |
| 2.3.3 厚膜SOI-FRD器件开关特性与漂移区的关系 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 厚膜SOI漂移区沟槽器件特性研究 | 第32-46页 |
| 3.1 漂移区沟槽器件特性 | 第32-38页 |
| 3.1.1 耐压特性 | 第32-33页 |
| 3.1.2 正向导通特性 | 第33-36页 |
| 3.1.3 关断特性 | 第36-38页 |
| 3.2 几种改进器件的仿真研究 | 第38-45页 |
| 3.2.1 沟槽栅DOT器件 | 第38-40页 |
| 3.2.2 VFP-DOT器件 | 第40-42页 |
| 3.2.3 DDOT器件 | 第42-43页 |
| 3.2.4 快速关断结构 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 MDOT器件结构优化设计 | 第46-60页 |
| 4.1 MDOT LIGBT器件的优化设计 | 第46-55页 |
| 4.1.1 MDOT LIGBT器件的结构特点和工作原理 | 第46-47页 |
| 4.1.2 MDOT LIGBT器件的耐压设计 | 第47-50页 |
| 4.1.3 MDOT LIGBT器件的阈值电压设计 | 第50-51页 |
| 4.1.4 MDOT LIGBT器件的电流能力设计 | 第51-54页 |
| 4.1.5 MDOT LIGBT器件的关断特性设计 | 第54-55页 |
| 4.2 MDOT LDMOS器件的优化设计 | 第55-57页 |
| 4.3 MDOT FRD器件的优化设计 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 MDOT器件结构的流片及测试 | 第60-70页 |
| 5.1 MDOT器件的工艺流程设计 | 第60-62页 |
| 5.2 MDOT器件的版图设计 | 第62-63页 |
| 5.3 MDOT器件的测试结果 | 第63-69页 |
| 5.3.1 MDOT LIGBT器件的测试结果 | 第64-66页 |
| 5.3.2 MDOT LDMOS器件的测试结果 | 第66-67页 |
| 5.3.3 MDOT FRD器件的测试结果 | 第67-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 总结 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第78页 |
