| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-16页 |
| 1.1.1 非易失性存储器 | 第9-10页 |
| 1.1.2 铁电体和铁电随机存储器 | 第10-12页 |
| 1.1.3 铁电场效应晶体管及其发展 | 第12-16页 |
| 1.2 铁电集成电路及国内外研究现状 | 第16-19页 |
| 1.2.1 基于FeFET的FeCMOS和FeNAND | 第16-17页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 论文选题依据和主要内容 | 第19-21页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第19页 |
| 1.3.2 研究思路和主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 铁电场效应晶体管的TCAD模拟 | 第21-35页 |
| 2.1 Sentaurus TCAD软件介绍 | 第21-25页 |
| 2.1.1 半导体器件模拟的基本方法 | 第22-24页 |
| 2.1.2 铁电场效应晶体管极化的描述 | 第24-25页 |
| 2.2 铁电场效应晶体管的模型 | 第25-27页 |
| 2.2.1 MFIS结构的铁电场效应晶体管 | 第25-26页 |
| 2.2.2 铁电材料参数的选择 | 第26-27页 |
| 2.3 电学参数对 FeFET 电学特性的影响 | 第27-29页 |
| 2.3.1 栅极电压对FeFET电学性能影响 | 第27-28页 |
| 2.3.2 漏源电压对FeFET电学性能影响 | 第28-29页 |
| 2.4 铁电材料参数对 FeFET电学特性的影响 | 第29-33页 |
| 2.4.1 饱和极化对FeFET电学性能影响 | 第29-30页 |
| 2.4.2 剩余极化对FeFET电学性能影响 | 第30-31页 |
| 2.4.3 矫顽场对FeFET电学性能影响 | 第31-32页 |
| 2.4.4 铁电层厚度对FeFET电学性能影响 | 第32页 |
| 2.4.5 铁电层介电常数对FeFET电学性能影响 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 基于FeFET的基本门级电路的TCAD模拟 | 第35-46页 |
| 3.1 FeFET的参数优化 | 第36-37页 |
| 3.2 低工作电压下FeFET的电学特性 | 第37-40页 |
| 3.2.1 FeFET的转移特性 | 第37-38页 |
| 3.2.2 FeFET的输出特性 | 第38-39页 |
| 3.2.3 FeFET的传输特性 | 第39-40页 |
| 3.2.4 FeFET的沟道长度调制效应 | 第40页 |
| 3.3 基于FeFET的基本门级电路 | 第40-45页 |
| 3.3.1 基于FeFET的共源共栅电流镜 | 第40-42页 |
| 3.3.2 基于FeFET的反相器 | 第42-43页 |
| 3.3.3 基于FeFET的与非门 | 第43-44页 |
| 3.3.4 基于FeFET的或非门 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 基于FeFET的电流灵敏放大器的TCAD模拟 | 第46-54页 |
| 4.1 IT结构铁电存储器的结构 | 第46-48页 |
| 4.1.1 铁电存储单元结构 | 第47页 |
| 4.1.2 铁电外围电路结构 | 第47-48页 |
| 4.2 电流灵敏放大电路 | 第48-52页 |
| 4.2.1 基本电路结构 | 第48页 |
| 4.2.2 电路工作原理 | 第48-49页 |
| 4.2.3 仿真结果分析 | 第49-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 论文总结 | 第54-55页 |
| 5.2 工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 附录A TCAD模拟中用到的部分程序 | 第62-67页 |
| 附录B 攻读硕士学位期间发表论文目录及所参加的学术会议 | 第67页 |
