| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-31页 |
| 1.1 引言 | 第7-9页 |
| 1.2 MgZnO半导体薄膜材料的基本性质及研究发展 | 第9-14页 |
| 1.2.1 MgZnO半导体薄膜材料的基本性质 | 第9-11页 |
| 1.2.2 MgZnO半导体薄膜材料的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.2.3 MgZnO半导体薄膜材料作为紫外光电探测器的优势 | 第13-14页 |
| 1.3 MSM结构的MgZnO紫外光电探测器的基本参数和研究发展 | 第14-29页 |
| 1.3.1 MSM结构MgZnO紫外光电探测器的基本参数 | 第14-17页 |
| 1.3.2 MSM结构MgZnO紫外光电探测器的光电效应 | 第17-19页 |
| 1.3.3 MgZnO紫外光电探测器的研究发展 | 第19-29页 |
| 1.4 MgZnO紫外光电探测器存在的问题 | 第29页 |
| 1.5 论文的选题依据和研究内容 | 第29-31页 |
| 第二章 MgZnO薄膜及其紫外光电探测器的制备与表征方法 | 第31-45页 |
| 2.1 磁控溅射技术 | 第31-34页 |
| 2.2 MgZnO薄膜退火仪器介绍-高温管式炉 | 第34-35页 |
| 2.3 MgZnO薄膜的表征手段 | 第35-40页 |
| 2.3.1 X射线衍射光谱（XRD） | 第35-36页 |
| 2.3.2 透射和吸收光谱 | 第36-37页 |
| 2.3.3 霍尔效应测试系统 | 第37-38页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜（SEM） | 第38-39页 |
| 2.3.5 能量色散谱仪（EDS） | 第39-40页 |
| 2.4 MSM结构MgZnO紫外光电探测器电极的湿法刻蚀制备 | 第40-42页 |
| 2.5 MgZnO紫外光电探测器性能的表征手段 | 第42-44页 |
| 2.5.1 光谱响应测试系统 | 第42-44页 |
| 2.5.2 暗电流测试分析 | 第44页 |
| 2.6 小结 | 第44-45页 |
| 第三章 MgZnO薄膜的制备及其性能的表征 | 第45-57页 |
| 3.1 ZnO薄膜的制备与表征 | 第45-48页 |
| 3.1.1 ZnO薄膜的制备 | 第45-46页 |
| 3.1.2 ZnO薄膜的表征 | 第46-48页 |
| 3.2 多组分MgZnO薄膜的制备与表征 | 第48-56页 |
| 3.2.1 Mg_(0.20)Zn_(0.80)O与Mg_(0.42)Zn_(0.58)O薄膜的制备 | 第48-49页 |
| 3.2.2 Mg_(0.20)Zn_(0.80)O与Mg_(0.42)Zn_(0.58)O薄膜的表征 | 第49-52页 |
| 3.2.3 分段法生长Mg_(0.60)Zn_(0.40)O薄膜的制备与研究 | 第52-56页 |
| 3.3 小结 | 第56-57页 |
| 第四章 MgZnO紫外光电探测器的制备及其性能的表征 | 第57-74页 |
| 4.1 ZnO紫外光电探测器的制备及其性能的表征 | 第57-61页 |
| 4.2 信号电阻对ZnO紫外光电探测器性能的影响 | 第61-67页 |
| 4.2.1 不同信号电阻的ZnO紫外光电探测器的制备方法 | 第61-62页 |
| 4.2.2 不同信号电阻ZnO紫外光电探测器的性能表征与讨论 | 第62-67页 |
| 4.3 多组分MgZnO紫外光电探测器的制备及其性能表征 | 第67-73页 |
| 4.3.1 Mg_(0.20)Zn_(0.80）O与Mg_(0.42)Zn_(0.58)O紫外光电探测器的制备及其性能表征 | 第68-71页 |
| 4.3.2 分段法生长Mg_(0.60)Zn_(0.40)O紫外光电探测器的制备及其性能表征 | 第71-73页 |
| 4.4 小结 | 第73-74页 |
| 第五章 MSM结构MgZnO紫外光电探测器的性能调控 | 第74-93页 |
| 5.1 MSM结构光电探测器的工作机理及其性能调控 | 第74-79页 |
| 5.2 不同插指间距的MgZnO紫外光电探测器制备 | 第79-81页 |
| 5.3 不同插指间距的MgZnO紫外光电探测器的性能表征与调控 | 第81-91页 |
| 5.4 小结 | 第91-93页 |
| 第六章 结论与展望 | 第93-95页 |
| 6.1 结论 | 第93-94页 |
| 6.2 展望 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-102页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第102页 |
