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具有五角双锥配位构型的分子磁性材料的构筑和研究

中文摘要第3-6页
ABSTRACT第6-9页
本论文工作所用测试方法与仪器第15-16页
第一章 前言第16-55页
    1.1 分子磁性材料第16-23页
        1.1.1 磁有序分子磁性材料第17-18页
        1.1.2 单分子磁体第18-21页
        1.1.3 单离子磁体第21-22页
        1.1.4 单链磁体第22-23页
        1.1.5 自旋转换材料第23页
    1.2 磁各向异性第23-27页
        1.2.1 单离子各向异性第24-25页
        1.2.2 各向异性磁交换第25-26页
        1.2.3 晶体场对称性对磁各向异性的影响第26-27页
    1.3 具有五角双锥配位构型的分子磁性材料的研究进展第27-46页
        1.3.1 具有五角双锥配位构型的3d过渡金属化合物第28-32页
            1.3.1.1 具有五角双锥配位构型的Fe~Ⅱ化合物第28-30页
            1.3.1.2 具有五角双锥配位构型的Co~Ⅱ化合物第30-32页
        1.3.2 基于五角双锥构型的七氰根构筑块的分子磁性材料第32-38页
            1.3.2.1 基于[Mo~Ⅲ(CN)_7]~(4-)构筑块的分子磁性材料研究第32-36页
            1.3.2.2 基于[Re~Ⅳ(CN)_7]~(3-)构筑块的分子磁性材料的研究第36-38页
            1.3.2.3 基于[W~Ⅳ(CN)_7]~(3-)构筑块的研究第38页
        1.3.3 具有五角双锥配位构型的4f镧系金属单分子/单离子磁体第38-46页
            1.3.3.1 具有五角双锥配位构型的Dy~Ⅲ的单分子/单离子磁体第40-44页
            1.3.3.2 具有五角双锥配位构型的其他Ln~Ⅲ的单离子磁体第44-46页
    1.4 本论文的研究依据和主要研究内容第46-48页
    参考文献第48-55页
第二章 基于[Mo~Ⅲ(CN)_7]~(4-)的氰根桥连三维磁有序化合物第55-85页
    2.1 引言第55-56页
    2.2 实验部分第56-58页
        2.2.1 化合物1-5的合成第56-58页
            2.2.1.1 {[NH_2(CH_3)_2]_2Mn_5(H_2O)_(10)[Mo(CN)_7]_3·8H_2O}_n(1)的合成第56-57页
            2.2.1.2 {[NH_3CH_2CH_3]_2Mn_5(H_2O)_(10)[Mo(CN]_3·8H_2O}_n(2)的合成第57页
            2.2.1.3 {[(NH_3NH)CCH_3]_2Mn_5(H_2O)_(10)[Mo(CN)_7]3·8H_2O}_n(3)的合成第57页
            2.2.1.4 {Fe_2(H_2O)_5[Mo(CN_7]·5H_2O}_n(4)的合成第57页
            2.2.1.5 {[NH_2(CH_3)_2]_2Fe_5(H_2O)_(10)[Mo(CN)_7]_3·8H_2O}_n(5)的合成第57-58页
    2.3 结果与讨论第58-83页
        2.3.1 化合物1-5的晶体结构第58-76页
        2.3.2 化合物1,2,4,5的磁性质第76-81页
            2.3.2.1 化合物1,2,4,5的直流磁化率第76-80页
            2.3.2.2 化合物1,2,4,5的交流磁化率第80-81页
        2.3.3 化合物的磁有序温度的讨论第81-83页
    2.4 结论第83页
    参考文献第83-85页
第三章 基于[Mo~Ⅲ(CN)_7]~(4-)的三核化合物的探索合成、结构和磁性研究第85-108页
    3.1 引言第85-86页
    3.2 实验部分第86-97页
        3.2.1 系列前驱体的合成第87-88页
            3.2.1.1 配体Py_5Me_2和Py_3N_2的前驱体的合成第87页
            3.2.1.2 前驱体Fe~Ⅱ(H_2pdabc)Cl_2]·(H_2O)和[Co~Ⅱ(H_2pdabc)(H_2O)(CH_3CN)]·(ClO_4)_2的合成第87页
            3.2.1.3 前驱体[Fe~Ⅱ(H_2pdap)Cl_2]·(H_2O)和[M~Ⅱ(H_2pdap)(ClO_4)_2](M=Mn,Co)的合成第87-88页
            3.2.1.4 前驱体[Mn~Ⅱ(H_2pdapc)(ClO_4)_2]的合成第88页
        3.2.2 前驱体的晶体结构第88-96页
        3.2.3 基于[Mo~(Ⅲ/Ⅳ)(CN)_(7/8)]~(4-)的三核化合物的合成第96-97页
            3.2.3.1 [Fe(Btzp)(H_2O)]_2[Mo(CN)_7]·18H_2O(6)的合成第96-97页
            3.2.3.2 [Co(Btzp)(H_2O)]_2[Mo(CN)_7]·18H_2O(7)的合成第97页
            3.2.3.3 [Co(Py_5Me_2)]_2[Mo(CN)_7]·7H_2O (8)的合成第97页
    3.3 结果与讨论第97-105页
        3.3.1 化合物6-8的晶体结构描述第97-103页
        3.3.2 化合物6和7的磁性质描述第103-105页
            3.3.2.1 化合物6和7的磁性质描述第103-104页
            3.3.2.2 化合物6和7的交流磁化率第104-105页
        3.3.3 化合物6和7的磁性结构关系讨论第105页
    3.4 结论第105-106页
    参考文献第106-108页
第四章 基于[Mo~Ⅲ(CN)_7]~(4-)的单分子磁体开关行为及各向异性转换的研究第108-131页
    4.1 引言第108-109页
    4.2 实验部分第109-114页
        4.2.1 基于[Mo~Ⅲ(CN)_7]~(4-)的化合物的合成与表征第109-114页
            4.2.1.1 [Mn(L1)(H_2O)]_2[Mo(CN)_7]·2H_2O(1)(9)的合成第109-110页
            4.2.1.2 [Mn(L1)(H_2O)]_2[Mn(L1)_7]_2[Mo(CN)_7]_2(10)的合成第110页
            4.2.1.3 [Mn(L1)(H_2O)]_2[Mo(CN)_7]·2H_2O (9R=9)的合成第110页
            4.2.1.4 [Mn(L1)(H_2O)]_2[Mn(L1)]_2[Mo(CN)_7]_2(10A=10)的合成第110页
            4.2.1.5 [Mn(L1)(H_2O)]_2[Mn(L1)]_2[Mo(CN)_7]_2(10B=10)的合成第110-114页
    4.3 结果与讨论第114-128页
        4.3.1 化合物9-10的晶体结构描述第114-121页
        4.3.2 化合物9和10的磁性质描述第121-127页
            4.3.2.1 化合物9和10的直流磁化率第121-123页
            4.3.2.2 化合物9和10的交流磁化率第123-127页
        4.3.3 化合物9和10的磁性结构关系讨论第127-128页
    4.4 结论第128-129页
    参考文献第129-131页
第五章 系列4f单离子磁体化合物的合成、结构和磁性研究第131-160页
    5.1 引言第131-132页
    5.2 实验部分第132-134页
        5.2.1 化合物11-14的合成及表征第132-134页
            5.2.2.1 [Dy(H_3L_2)Cl_2(DMF)_2]·DMF·1.5H_2O(11)的合成第132页
            5.2.2.2 [Yb(H_3L_2)Cl_2(DMF)_2]·DMF·1.5H_2O(12)的合成第132-133页
            5.2.2.3 [Dy(H_3L_2)Cl_2(DMF)_2]·H_4L2 (13)的合成第133页
            5.2.2.4 [Yb(H_3L_2)Cl_2(DMF)_2]·H_3L2 (14)的合成第133-134页
    5.3 结果与讨论第134-156页
        5.3.1 化合物11-14的晶体结构描述第134-140页
        5.3.2 化合物11-14的磁性质描述第140-153页
            5.3.2.1 化合物11-14的直流磁化率第140-142页
            5.3.2.2 化合物11-14的交流磁化率第142-153页
        5.3.3 理论计算第153-156页
    5.4 结论第156-157页
    参考文献第157-160页
第六章 总结第160-162页
博士在读期间己发表和待发表的论文第162-164页
致谢第164-165页

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