| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 纳米薄膜材料 | 第8-13页 |
| 1.2.1 纳米薄膜的制备技术 | 第9-10页 |
| 1.2.2 纳米薄膜的应用 | 第10-13页 |
| 1.3 新型非挥发存储器 | 第13-17页 |
| 1.3.1 铁电存储器(FeRAM) | 第14-15页 |
| 1.3.2 相变存储器(PCRAM) | 第15-16页 |
| 1.3.3 磁存储器(MRAM) | 第16-17页 |
| 1.3.4 阻变存储器(RRAM) | 第17页 |
| 1.4 电阻开关特性简介 | 第17-20页 |
| 1.4.1 电阻开关特性的分类 | 第17-18页 |
| 1.4.2 电阻开关特性的形成机制 | 第18-20页 |
| 1.5 CuSCN的结构、性质、制备及应用 | 第20-23页 |
| 1.5.1 CuSCN的晶体结构 | 第20-21页 |
| 1.5.2 β-CuSCN的性质及制备方法 | 第21-22页 |
| 1.5.3 CuSCN的应用 | 第22-23页 |
| 1.6 本论文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 CuSCN薄膜电阻开关性能研究 | 第24-44页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 实验部分 | 第25-27页 |
| 2.2.1 实验原料、试剂和仪器 | 第25-26页 |
| 2.2.2 CuSCN薄膜的制备过程 | 第26-27页 |
| 2.2.3 样品的表征和性能测试 | 第27页 |
| 2.3 实验结果与分析 | 第27-31页 |
| 2.4 器件的制备 | 第31-32页 |
| 2.5 器件的阻变存储性能测试及研究 | 第32-42页 |
| 2.5.1 I-V曲线的测试及分析 | 第32-36页 |
| 2.5.2 器件的读写测试及分析 | 第36-40页 |
| 2.5.3 机理分析 | 第40-42页 |
| 2.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第3章 ITO/CuSCN/PVDF/ZnO/ITO p-i-n结构电阻开关性能研究 | 第44-52页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 实验部分 | 第44-45页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第44-45页 |
| 3.2.2 器件的制备 | 第45页 |
| 3.3 实验结果和讨论 | 第45-50页 |
| 3.3.1 样品的XRD和SEM分析 | 第45-46页 |
| 3.3.2 样品存储性能测试和分析 | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 基于CuSCN微纳米结构器件的光电导性能研究 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 实验过程 | 第52-53页 |
| 4.2.1 实验原料、化学试剂和仪器 | 第52-53页 |
| 4.2.2 光电器件的制备 | 第53页 |
| 4.3 样品的光电导性能研究 | 第53-64页 |
| 4.3.1 样品的光电导性能 | 第53-60页 |
| 4.3.2 样品的光谱响应及分析 | 第60-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第76页 |