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先进逻辑工艺下SRAM关键参数波动测试方法和性能以及RRAM在FPGA中应用研究

目录第2-4页
摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 导论第7-17页
    1.1 嵌入式存储器介绍第7-10页
        1.1.1 挥发存储器第7-8页
        1.1.2 非挥发存储器第8-10页
    1.2 选题的背景第10-14页
        1.2.1 SRAM关键参数波动测试方法的研究背景第10-11页
        1.2.2 FPGA的概述第11-14页
        1.2.3 RRAM应用在FPGA中的研究背景第14页
    1.3 论文的主要工作和技术要点第14-15页
    1.4 论文结构和章节安排第15-17页
第二章 基于SRAM存储结点引出的测试结构设计及研究第17-32页
    2.1 SRAM读写静态指标的定义第17-20页
    2.2 基于SRAM存储结点引出的测试结构设计及研究第20-23页
        2.2.1 传统的测试方案第20-21页
        2.2.2 新测试方案的提出第21-22页
        2.2.3 测试结构的基本组成第22-23页
    2.3 测试过程及数据分析第23-31页
    2.4 本章小结第31-32页
第三章 不引出存储结点大阵列SRAM读写指标测试第32-54页
    3.1 大阵列SRAM读写指标的表征方式第32-37页
        3.1.1 SRAM读写指标新表征方式的引出第32-34页
        3.1.2 SRAM读指标新表征方式的定义第34-36页
        3.1.3 SRAM写指标新表征方式的定义第36-37页
    3.2 不引出存储结点的大阵列SRAM读写指标测试第37-50页
        3.2.1 测试电路设计的具体实现第37-45页
        3.2.2 主要子模块的仿真第45-48页
        3.2.3 SRAM读写指标测试结构的仿真第48-50页
    3.3 大阵列SRAM读写指标测试结构的测试流程第50-53页
    3.4 本章小结第53-54页
第四章 RRAM配置FPGA内挥发存储器第54-62页
    4.1 双芯片中RRAM和FPGA通信方式第54-56页
    4.2 单芯片中RRAM和FPGA通信方式第56-61页
        4.2.1 新型存储器RRAM和挥发存储器SRAM通信方式的提出第56-59页
        4.2.2 新型存储器RRAM和挥发存储器SRAM通信方式工作流程第59-61页
        4.2.3 新型存储器RRAM和外界的通信第61页
    4.3 本章小结第61-62页
第五章 RRAM成为FPGA的编程结点第62-71页
    5.1 RRAM-based 2x2可编程逻辑模块第63-64页
    5.2 RRAM-based布线资源的编程算法研究第64-67页
    5.3 RRAM-based 2x2可编程逻辑模块不同逻辑功能实现第67-70页
    5.4 本章小结第70-71页
第六章 总结与展望第71-73页
    6.1 工作总结第71-72页
    6.2 设想和展望第72-73页
参考文献第73-75页
论文发表与专利情况第75-76页
致谢第76-77页

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