| 摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 纳米半导体材料研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米半导体材料的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 半导体量子点器件的应用 | 第10-12页 |
| 1.2.2 半导体异质结构的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.3 纳米半导体材料和量子器件研究存在的问题 | 第13-15页 |
| 1.3.1 工作条件苛刻 | 第13页 |
| 1.3.2 材料要求苛刻 | 第13页 |
| 1.3.3 纳米Si基量子异质结加工 | 第13-14页 |
| 1.3.4 分子晶体管-纳米器件的组装 | 第14页 |
| 1.3.5 超高密度量子效应存储器 | 第14页 |
| 1.3.6 纳米计算机的“互连”问题 | 第14页 |
| 1.3.7 SPM纳米器件加工技术效率 | 第14页 |
| 1.3.8 纳米半导体器件的制备、操纵、设计、性能分析模拟环境 | 第14-15页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 半导体量子点电子结构的研究 | 第17-39页 |
| 2.1 序言 | 第17-18页 |
| 2.2 半导体量子点应变结构分析 | 第18-23页 |
| 2.2.1 连续弹性理论 | 第18-21页 |
| 2.2.2 基于有限元法计算量子点的电子结构 | 第21-23页 |
| 2.3 GANAs应变补偿层对量子点电子结构的影响 | 第23-31页 |
| 2.3.1 应变补偿理论 | 第23-25页 |
| 2.3.2 仿真模型 | 第25页 |
| 2.3.3 仿真结果分析 | 第25-31页 |
| 2.4 机械外力对量子点电子结构的影响 | 第31-39页 |
| 2.4.1 机械外力理论 | 第32页 |
| 2.4.2 仿真结果分析 | 第32-39页 |
| 第三章 动力学蒙特卡罗仿真生长参数对量子点生长的影响 | 第39-49页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 理论基础 | 第39-44页 |
| 3.2.1 蒙特卡罗方法 | 第39-42页 |
| 3.2.2 动力学蒙特卡罗方法(Kinetic Monte Carlo)模拟中的物理模型和周期性边界条件 | 第42-44页 |
| 3.3 生长参数对图形衬底上量子点生长的影响 | 第44-49页 |
| 3.3.1 温度对量子点生长的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.2 沉积速率对量子点生长的影响 | 第46-48页 |
| 3.3.3 生长停顿对量子点生长的影响 | 第48-49页 |
| 第四章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 4.1 论文总结 | 第49页 |
| 4.2 未来工作展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第57页 |
