| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 缩略语对照表 | 第13-14页 |
| 符号对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| 1.1 SiC功率器件的研究意义 | 第18-20页 |
| 1.2 SiC二极管发展现状 | 第20-22页 |
| 1.3 结终端扩展(JTE)技术的发展现状 | 第22-25页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第25-28页 |
| 第二章 4H-SiC SBD的器件物理 | 第28-42页 |
| 2.1 4H-SiC材料物理模型和参数 | 第28-30页 |
| 2.1.1 Sdevice求解的基本方程 | 第28页 |
| 2.1.24H-SiC材料物理模型及参数 | 第28-30页 |
| 2.2 理想SBD模型 | 第30-36页 |
| 2.2.1 反向击穿电压 | 第31-33页 |
| 2.2.2 正向导通特性 | 第33-34页 |
| 2.2.3 功率优值 | 第34-36页 |
| 2.3 边缘电场集中效应与结终端技术简介 | 第36-40页 |
| 2.3.1 边缘电场集中效应 | 第36-37页 |
| 2.3.2 场板(FP)终端结构 | 第37-38页 |
| 2.3.3 场限环(GR)终端结构 | 第38-39页 |
| 2.3.4 结终端扩展(JTE)终端结构 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 常用终端技术(场板、JTE)的仿真研究 | 第42-56页 |
| 3.1 1700V等级SBD外延参数的设计 | 第42页 |
| 3.2 场板(FP)终端的SBD的仿真 | 第42-46页 |
| 3.2.1 介质层厚度对击穿电压的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.2 界面电荷对击穿电压的影响 | 第44-46页 |
| 3.3 结终端扩展(JTE)终端的SBD仿真 | 第46-50页 |
| 3.3.1 JTE浓度对击穿电压的影响 | 第46-49页 |
| 3.3.2 JTE长度对击穿电压的影响 | 第49页 |
| 3.3.3 界面电荷对JTE终端的影响 | 第49-50页 |
| 3.4 FP+JTE复合终端的仿真 | 第50-55页 |
| 3.4.1 复合终端的浓度优值区间仿真 | 第51-53页 |
| 3.4.2 复合终端几何参数仿真 | 第53-54页 |
| 3.4.3 界面电荷对复合终端的影响 | 第54-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 SBD的流片与性能分析 | 第56-76页 |
| 4.1 离子注入仿真设计 | 第56-57页 |
| 4.2 版图和实验方案设计 | 第57-58页 |
| 4.3 工艺步骤和流程清单 | 第58-61页 |
| 4.4 关键工艺 | 第61-68页 |
| 4.4.1 离子注入掩膜制备 | 第61-62页 |
| 4.4.2 离子注入 | 第62-63页 |
| 4.4.3 离子注入退火 | 第63-64页 |
| 4.4.4 一次钝化(淀积SiO2) | 第64页 |
| 4.4.5 欧姆金属制备及欧姆退火 | 第64-65页 |
| 4.4.6 钝化层腐蚀开窗 | 第65-66页 |
| 4.4.7 肖特基金属制备 | 第66-67页 |
| 4.4.8 肖特基金属加厚 | 第67-68页 |
| 4.4.9 背面欧姆金属加厚及PI胶制作 | 第68页 |
| 4.5 器件性能测试和分析 | 第68-74页 |
| 4.5.1 正向性能测试及分析 | 第68-69页 |
| 4.5.2 反向性能测试及分析 | 第69-71页 |
| 4.5.3 复合终端与JTE终端SBD器件性能的统计分析 | 第71-73页 |
| 4.5.4 JTE长度的影响 | 第73-74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-80页 |
| 5.1 总结 | 第76-78页 |
| 5.2 不足和展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-87页 |