| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 气敏传感器 | 第8-11页 |
| 1.1.1 气敏传感器的定义 | 第8-9页 |
| 1.1.2 气敏传感器的分类 | 第9-10页 |
| 1.1.3 气敏传感器的表征参数 | 第10-11页 |
| 1.2 氧化钨气敏性能的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 准定向氧化钨纳米线的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4 本课题主要研究内容和意义 | 第15-17页 |
| 第二章 实验部分 | 第17-26页 |
| 2.1 样品的制备实验流程 | 第17-23页 |
| 2.1.1 基底清洗 | 第17-18页 |
| 2.1.2 溅射沉积Pt电极 | 第18页 |
| 2.1.3 金属钨膜的沉积工艺 | 第18-19页 |
| 2.1.4 热氧化法制备准定向氧化钨纳米线阵列 | 第19页 |
| 2.1.5 退火处理 | 第19-20页 |
| 2.1.6 样品制备所用的主要实验设备 | 第20-23页 |
| 2.2 样品微观结构表征 | 第23-24页 |
| 2.2.1 SEM表征 | 第23页 |
| 2.2.2 TEM表征 | 第23-24页 |
| 2.2.3 EDS分析 | 第24页 |
| 2.2.4 XRD分析 | 第24页 |
| 2.3 气敏性能测试 | 第24-26页 |
| 第三章 准定向氧化钨纳米线阵列的制备与气敏性能研究 | 第26-44页 |
| 3.1 氧化钨纳米线制备的研究 | 第26-33页 |
| 3.1.1 热氧化压强对氧化钨纳米线制备的影响 | 第26-28页 |
| 3.1.2 热氧化气氛氩气流量对氧化钨纳米线制备的影响 | 第28-29页 |
| 3.1.3 热氧化时间对氧化钨纳米线制备的影响 | 第29-31页 |
| 3.1.4 基片放置方向对氧化钨纳米线制备的影响 | 第31-32页 |
| 3.1.5 基片放置数目对氧化钨纳米线制备的影响 | 第32-33页 |
| 3.2 热氧化法制备准定向备氧化钨纳米线的标准实验条件 | 第33-35页 |
| 3.3 氧化钨纳米线的生长原理 | 第35-36页 |
| 3.4 准定向氧化钨纳米线气敏性能研究 | 第36-42页 |
| 3.4.1 工作温度特性与响应灵敏度 | 第36-38页 |
| 3.4.2 响应时间与恢复时间 | 第38-39页 |
| 3.4.3 传感器的稳定性 | 第39-40页 |
| 3.4.4 传感器的选择性 | 第40-41页 |
| 3.4.5 氧化钨纳米线的气敏机理 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 快速退火对氧化钨纳米线影响的研究 | 第44-53页 |
| 4.1 快速退火温度对产物的影响 | 第44-47页 |
| 4.1.1 快速退火温度对产物形貌的影响 | 第44-45页 |
| 4.1.2 不同退火温度样品的XRD表征 | 第45-47页 |
| 4.2 氧气和氮气的比例对产物的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.1 不同退火气氛样品的XRD表征 | 第47-48页 |
| 4.3 气敏性能测试 | 第48-50页 |
| 4.3.1 退火条件对气敏响应灵敏度的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.2 退火条件对气敏响应恢复速率的影响 | 第50页 |
| 4.4 快速退火与常规退火对其气敏性能的影响差异 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
