| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 氮化铟InN的相关研究 | 第13-24页 |
| 1.1.1 氮化铟简介 | 第13-17页 |
| 1.1.2 P型InN研究现状 | 第17-22页 |
| 1.1.3 InN中超导电性的研究现状 | 第22-24页 |
| 1.2 本文的研究意义和目的 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 实验方法 | 第29-50页 |
| 2.1 薄膜生长 | 第29-35页 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉积 | 第29-30页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积 | 第30-32页 |
| 2.1.3 反射高能电子衍射仪 | 第32-35页 |
| 2.2 离子注入 | 第35-36页 |
| 2.3 样品表征 | 第36-49页 |
| 2.3.1 结构表征:衍射理论 | 第36-37页 |
| 2.3.2 结构表征:掠入射 | 第37-40页 |
| 2.3.3 输运性质测量 | 第40-45页 |
| 2.3.4 X射线光电子谱 | 第45-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第三章 实现InN的P型传导 | 第50-78页 |
| 3.1 InN薄膜的制备 | 第50页 |
| 3.2 Ba掺杂的InN薄膜 | 第50-60页 |
| 3.2.1 样品及实验介绍 | 第50-51页 |
| 3.2.2 Ba掺杂InN薄膜的结构分析 | 第51-55页 |
| 3.2.3 理论计算 | 第55-56页 |
| 3.2.4 Ba掺杂InN薄膜的光学、电学性质 | 第56-60页 |
| 3.3 Zn掺杂的InN薄膜 | 第60-74页 |
| 3.3.1 Zn掺杂InN薄膜实现p型导电的可行性调研 | 第60-63页 |
| 3.3.2 Zn掺杂InN薄膜的结构分析 | 第63-65页 |
| 3.3.3 Zn掺杂InN薄膜的输运性质 | 第65-71页 |
| 3.3.4 Zn掺杂InN薄膜的拉曼测试 | 第71-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第四章 InN中的超导与铁磁性质研究 | 第78-98页 |
| 4.1 超导体中的基本现象 | 第78-82页 |
| 4.2 氮化铟中超导性质的研究 | 第82-87页 |
| 4.3 引入磁性的两种方式 | 第87-95页 |
| 4.3.1 应力导致的本征缺陷:InN/Al_O_3 | 第88-93页 |
| 4.3.2 掺杂引入的非本征缺陷:InN:Zn | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第五章 钙钛矿结构钌酸锶薄膜的初步研究 | 第98-114页 |
| 5.1 钌酸锶简介 | 第98-101页 |
| 5.2 钌酸锶SrRuO_3(111)薄膜生长 | 第101-102页 |
| 5.3 SrRuO_3 (111)薄膜表面及其主体结构的研究 | 第102-111页 |
| 5.3.1 SrRuO_3 (111)薄膜表面的重构 | 第102-107页 |
| 5.3.2 SrRuO_3 (111)薄膜结构表征 | 第107-111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第六章 总结及展望 | 第114-116页 |
| 博士阶段已发表及待发表的论文: | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
