| 中文摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 光场噪声 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第2章 常用的光电检测器件 | 第15-21页 |
| 2.1 半导体器件的光电转换原理 | 第15-17页 |
| 2.1.1 PN型光电二极管的工作原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 PIN型光电二极管的工作原理 | 第16页 |
| 2.1.3 重要的光电功能材料 | 第16-17页 |
| 2.2 光电检测器件的基本特性参数 | 第17-18页 |
| 2.3 有关噪声方面的特性参数 | 第18-19页 |
| 2.4 光电探测器的性能衡量 | 第19-21页 |
| 第3章 光电信号检测电路设计 | 第21-27页 |
| 3.1 三种基本光电转换电路 | 第21-23页 |
| 3.2 跨阻抗放大器(TIA)电路设计 | 第23-27页 |
| 3.2.1 基本工作原理 | 第23-25页 |
| 3.2.2 利用分立元件构成的TIA | 第25页 |
| 3.2.3 分立元件与运算放大器组成的复合型TIA | 第25-27页 |
| 第4章 跨阻抗放大器(TIA)的噪声分析 | 第27-33页 |
| 4.1 元器件的噪声分析 | 第27-28页 |
| 4.1.1 电阻的热噪声 | 第27页 |
| 4.1.2 PIN型光电二极管的噪声分析 | 第27页 |
| 4.1.3 运放的噪声分析 | 第27-28页 |
| 4.2 跨阻抗放大器(TIA)的噪声模型与分析 | 第28-33页 |
| 4.2.1 TIA的噪声模型 | 第28-29页 |
| 4.2.2 输入噪声电压的高频增益 | 第29-30页 |
| 4.2.3 其他噪声源的影响 | 第30-31页 |
| 4.2.4 对TIA输出的噪声总结 | 第31-33页 |
| 第5章 光场Bell态探测器的设计原则 | 第33-45页 |
| 5.1 光场Bell态光电探测器的基本要求 | 第33-34页 |
| 5.1.1 为什么选用光电二极管ETX500 | 第33页 |
| 5.1.2 测量散粒噪声的信噪比要求 | 第33-34页 |
| 5.2 关于NSNR的分析与计算 | 第34-35页 |
| 5.3 在频域内分析TIA的NSNR | 第35-39页 |
| 5.4 测量散粒噪声的电路结构 | 第39-42页 |
| 5.4.1 一个有意义的尝试 | 第39-40页 |
| 5.4.2 基于电压放大型的测量方案 | 第40-41页 |
| 5.4.3 基于跨阻抗放大器结构的测量方案 | 第41-42页 |
| 5.5 低噪声TIA的设计原则与方法 | 第42-45页 |
| 5.5.1 低噪声放大器的选择 | 第42页 |
| 5.5.2 低噪声、高精度无源器件的选用 | 第42-45页 |
| 第6章 光场散粒噪声探测器与光场Bell态探测器 | 第45-59页 |
| 6.1 最初的光场散粒噪声探测器 | 第45-48页 |
| 6.1.1 详细的电路结构与分析 | 第45-46页 |
| 6.1.2 测试结果与分析 | 第46-48页 |
| 6.1.3 存在的问题与思考 | 第48页 |
| 6.2 全新设计的光场Bell态探测器 | 第48-59页 |
| 6.2.1 降低TIA的输入噪声电压的高频增益——自举效应 | 第48-50页 |
| 6.2.2 改进的Bell态探测电路结构与分析 | 第50-52页 |
| 6.2.3 高频PCB设计的注意事项 | 第52-54页 |
| 6.2.4 测试结果与分析 | 第54-59页 |
| 第7章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 成果目录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简介及联系方式 | 第65-66页 |
| 承诺书 | 第66-67页 |