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基于微波技术的大脑介电常数和导电性检测方法的研究

中文摘要第3-6页
英文摘要第6-9页
1 绪论第13-27页
    1.1 大脑无创检测技术的研究背景和意义第13-16页
    1.2 大脑无创持续性检测技术研究现状第16-22页
    1.3 大脑介电常数和导电率检测的意义第22-23页
    1.4 本课题的研究内容第23-27页
2 电磁场有限元仿真结果及分析第27-53页
    2.1 引言第27页
    2.2 电磁场基本理论第27-30页
        2.2.1 麦克斯韦方程组第27-28页
        2.2.2 介电性能简介第28页
        2.2.3 色散现象及Debye模型第28-30页
    2.3 HFSS软件及有限元数值分析方法第30-34页
    2.4 HFSS仿真建模及结果第34-50页
        2.4.1 HFSS中仿真模型的建立第34-38页
        2.4.2 同轴线内导体长度与耦合效果的关系第38-40页
        2.4.3 T型结构的内导体及仿真结果第40-43页
        2.4.4 多层结构的脑血肿数字模型的建立与仿真第43-49页
        2.4.5 电场在检测装置和大脑中的分布结果第49-50页
    2.5 本章小结第50-53页
3 基于 3D打印技术的模拟脑水肿、脑血肿介电性能的物理模型第53-69页
    3.1 引言第53页
    3.2 大脑模型第53-56页
        3.2.1 脑出血动物模型第53-54页
        3.2.2 脑水肿动物模型第54页
        3.2.3 模拟生物组织介电性能的物理模型第54-56页
    3.3 基于 3D打印技术的模拟生物组织介电性能和结构形态的物理模型第56-68页
        3.3.1 大脑物理模型制作流程的介绍第56-58页
        3.3.2 大脑各组织三维数据的获取第58-59页
        3.3.3 三维建模软件中,重构大脑模型第59-64页
        3.3.4 3D打印机的选择第64-66页
        3.3.5 模拟大脑各组织介电性能的物理材料第66-68页
    3.4 本章小结第68-69页
4 介电常数的检测第69-83页
    4.1 引言第69页
    4.2 实验装置的介绍第69-71页
    4.3 介电常数的理论计算推导第71-76页
        4.3.1 TM模式第73-75页
        4.3.2 TE模式第75-76页
    4.4 介电常数的检测结果第76-81页
        4.4.1 只改变脑血肿介电常数的大脑物理模型第76页
        4.4.2 根据参照样本的检测结果选择最佳工作模式第76-78页
        4.4.3 实验结果第78-81页
    4.5 本章小结第81-83页
5 基于频域下检测结果的导电率的计算方法第83-93页
    5.1 引言第83页
    5.2 导电率计算公式的理论推导第83-85页
    5.3 有载品质因数QL的计算方法第85-86页
    5.4 只改变脑水肿导电率的大脑物理模型第86页
    5.5 时域传输损耗S21实验结果第86-89页
    5.6 实验计算值和真实值的对比第89-91页
    5.7 本章小结第91-93页
6 基于时域下检测结果的介电参数的计算方法第93-111页
    6.1 引言第93页
    6.2 基于时域检测结果的理论推导第93-97页
    6.3 实验结果第97-104页
        6.3.1 只改变介电常数的脑血肿模型的检测实验结果第97-100页
        6.3.2 只改变导电率的脑水肿模型的检测实验结果第100-101页
        6.3.3 介电常数和导电率都改变的脑血肿模型检测的实验结果第101-103页
        6.3.4 参照样本的检测结果第103-104页
    6.4 实验结果与真实值的对比第104-109页
        6.4.1 只改变介电常数的脑血肿模型的实验结果与真实值的对比第104-106页
        6.4.2 只改变导电率的脑水肿模型的实验结果与真实值的对比第106-108页
        6.4.3 介电常数和导电率都改变的脑血肿模型检测的实验结果与真实值的对比第108-109页
    6.5 本章小结第109-111页
7 总结与展望第111-115页
    7.1 主要结论第111-112页
    7.2 对后续研究工作的展望第112-115页
致谢第115-117页
参考文献第117-125页
附录 作者在攻读博士学位期间发表论文及专利情况第125页

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