| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 InGaN材料的介绍 | 第8-10页 |
| 1.1.1 InGaN材料的基本性质 | 第8-10页 |
| 1.1.2 InGaN材料的应用 | 第10页 |
| 1.2 III族氮化物半导体材料辐照损伤的研究 | 第10-17页 |
| 1.2.1 离子辐照导致GaN材料结构变化的研究 | 第11-13页 |
| 1.2.2 离子辐照导致InN材料结构变化的研究 | 第13-15页 |
| 1.2.3 离子辐照导致低In组分In_xGa_(1-x)N（x ≤ 0.2）材料结构变化的研究 | 第15-17页 |
| 1.3 本论文的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 实验 | 第19-28页 |
| 2.1 实验样品 | 第19-22页 |
| 2.2 离子辐照实验 | 第22-25页 |
| 2.3 Raman光谱测试 | 第25-28页 |
| 第三章 实验结果与讨论 | 第28-47页 |
| 3.1 原生In_xGa_(1-x)N样品的Raman光谱及其拟合分析 | 第28-31页 |
| 3.2 Xe离子辐照In_xGa_(1-x)N样品的Raman光谱及其拟合分析 | 第31-42页 |
| 3.3 Kr离子辐照In_xGa_(1-x)N样品的Raman光谱及其拟合分析 | 第42-47页 |
| 第四章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 4.1 总结 | 第47-48页 |
| 4.2 展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 在学期间的研究成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
