| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 概述 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化镓简介 | 第10页 |
| 1.3 β-Ga_2O_3性质 | 第10-12页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第12-17页 |
| 1.4.1 氧化镓薄膜国内研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4.2 氧化镓薄膜国外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4.3 国内外文献综述简析 | 第16-17页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 氧化镓薄膜的制备技术及表征方法 | 第18-23页 |
| 2.1 制备方法 | 第18-20页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第18-19页 |
| 2.1.2 退火原理 | 第19页 |
| 2.1.3 实验中用到的材料 | 第19-20页 |
| 2.2 薄膜表征 | 第20-21页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第20页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第20页 |
| 2.2.3 紫外-可见分光光度计 | 第20-21页 |
| 2.3 β-Ga_2O_3薄膜MSM型紫外日盲探测器简介 | 第21-23页 |
| 2.3.1 器件结构及原理 | 第21页 |
| 2.3.2 器件的制备 | 第21-22页 |
| 2.3.3 器件的测量 | 第22-23页 |
| 第3章 石英衬底上氧化镓薄膜的生长和性质研究 | 第23-58页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 衬底的清洗 | 第23页 |
| 3.3 薄膜的制备和表征 | 第23-56页 |
| 3.3.1 溅射氧气流量对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第23-30页 |
| 3.3.2 溅射压强对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第30-39页 |
| 3.3.3 溅射功率对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第39-43页 |
| 3.3.4 退火温度对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第43-49页 |
| 3.3.5 退火时间对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第49-52页 |
| 3.3.6 薄膜厚度对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第52-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 硅衬底上氧化镓薄膜的生长和性质研究 | 第58-69页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 衬底的清洗 | 第58-59页 |
| 4.3 薄膜的制备和表征 | 第59-67页 |
| 4.3.1 低氧层的沉积 | 第59页 |
| 4.3.2 退火温度对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.3 溅射功率对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第61-63页 |
| 4.3.4 溅射压强对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第63-65页 |
| 4.3.5 溅射氧气流量对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第5章 蓝宝石衬底上氧化镓薄膜生长和光电探测器制备研究 | 第69-77页 |
| 5.1 引言 | 第69页 |
| 5.2 薄膜的制备和性质研究 | 第69-74页 |
| 5.3 β-Ga_2O_3薄膜MSM型紫外日盲探测器制备和性能研究 | 第74-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
