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高密度闪存信道仿真及低复杂度纠错技术研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第12-19页
    1.1 课题研究背景和意义第12-15页
    1.2 国内外闪存纠错技术的研究现状第15-16页
    1.3 课题研究的主要内容和创新点第16-17页
    1.4 论文的结构安排第17-19页
第二章 高密度NAND闪存信道介绍第19-30页
    2.1 NAND闪存介绍第19-23页
        2.1.1 NAND闪存结构特性第19-20页
        2.1.2 SLC与MLC的区别第20-21页
        2.1.3 NAND闪存的读写原理第21-23页
    2.2 高密度NAND闪存信道模型第23-29页
        2.2.1 高密度NAND闪存的擦除与编程第23-24页
        2.2.2 相邻闪存单元间干扰第24-27页
        2.2.3 高密度NAND闪存信道建模与仿真第27-29页
    2.3 本章小结第29-30页
第三章 LDPC码及译码算法介绍第30-41页
    3.1 LDPC码研究现状第30-31页
    3.2 LDPC码基本原理第31-34页
    3.3 传统译码算法研究第34-37页
        3.3.1 置信度传播译码算法第34-36页
        3.3.2 最小和译码算法第36-37页
    3.4 软可靠性迭代大数逻辑算法第37-40页
    3.5 本章小结第40-41页
第四章 高密度NAND闪存的低复杂度译码算法研究第41-56页
    4.1 高密度NAND闪存信道的LLR计算第41-44页
    4.2 改进型软可靠性迭代大数逻辑算法第44-55页
        4.2.1 阈值电压不均匀检测第44-49页
        4.2.2 基于幂函数的不均匀量化第49-51页
        4.2.3 性能比较与分析第51-55页
    4.3 本章小结第55-56页
第五章 高密度NAND闪存的低延时后补偿信号处理研究第56-63页
    5.1 闪存信道的信号处理研究第56-57页
        5.1.1 阈值电压预处理技术第56-57页
        5.1.2 阈值电压后补偿技术第57页
    5.2 低延时的后补偿信号处理设计第57-62页
        5.2.1 设计基本原理第57-59页
        5.2.2 性能比较与分析第59-62页
    5.3 本章小结第62-63页
总结与展望第63-65页
    总结第63页
    展望第63-65页
参考文献第65-69页
攻读学位期间发表的论文第69-71页
致谢第71页

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