摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第12-19页 |
1.1 课题研究背景和意义 | 第12-15页 |
1.2 国内外闪存纠错技术的研究现状 | 第15-16页 |
1.3 课题研究的主要内容和创新点 | 第16-17页 |
1.4 论文的结构安排 | 第17-19页 |
第二章 高密度NAND闪存信道介绍 | 第19-30页 |
2.1 NAND闪存介绍 | 第19-23页 |
2.1.1 NAND闪存结构特性 | 第19-20页 |
2.1.2 SLC与MLC的区别 | 第20-21页 |
2.1.3 NAND闪存的读写原理 | 第21-23页 |
2.2 高密度NAND闪存信道模型 | 第23-29页 |
2.2.1 高密度NAND闪存的擦除与编程 | 第23-24页 |
2.2.2 相邻闪存单元间干扰 | 第24-27页 |
2.2.3 高密度NAND闪存信道建模与仿真 | 第27-29页 |
2.3 本章小结 | 第29-30页 |
第三章 LDPC码及译码算法介绍 | 第30-41页 |
3.1 LDPC码研究现状 | 第30-31页 |
3.2 LDPC码基本原理 | 第31-34页 |
3.3 传统译码算法研究 | 第34-37页 |
3.3.1 置信度传播译码算法 | 第34-36页 |
3.3.2 最小和译码算法 | 第36-37页 |
3.4 软可靠性迭代大数逻辑算法 | 第37-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-41页 |
第四章 高密度NAND闪存的低复杂度译码算法研究 | 第41-56页 |
4.1 高密度NAND闪存信道的LLR计算 | 第41-44页 |
4.2 改进型软可靠性迭代大数逻辑算法 | 第44-55页 |
4.2.1 阈值电压不均匀检测 | 第44-49页 |
4.2.2 基于幂函数的不均匀量化 | 第49-51页 |
4.2.3 性能比较与分析 | 第51-55页 |
4.3 本章小结 | 第55-56页 |
第五章 高密度NAND闪存的低延时后补偿信号处理研究 | 第56-63页 |
5.1 闪存信道的信号处理研究 | 第56-57页 |
5.1.1 阈值电压预处理技术 | 第56-57页 |
5.1.2 阈值电压后补偿技术 | 第57页 |
5.2 低延时的后补偿信号处理设计 | 第57-62页 |
5.2.1 设计基本原理 | 第57-59页 |
5.2.2 性能比较与分析 | 第59-62页 |
5.3 本章小结 | 第62-63页 |
总结与展望 | 第63-65页 |
总结 | 第63页 |
展望 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-69页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第69-71页 |
致谢 | 第71页 |