低压低噪声CMOS放大器的研究与设计
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外发展概况 | 第9-11页 |
| 1.2.1 低噪声放大器的发展概况 | 第9-11页 |
| 1.2.2 低噪声运算放大器的发展概况 | 第11页 |
| 1.3 论文主要工作和论文组织 | 第11-13页 |
| 第2章 CMOS放大器的基本理论 | 第13-27页 |
| 2.1 CMOS管的噪声、模型及工作特性 | 第13-15页 |
| 2.2 低噪声CMOS放大器设计基础 | 第15-21页 |
| 2.2.1 射频CMOS电路的基础知识 | 第16-18页 |
| 2.2.2 1dB压缩点和3阶截点 | 第18-19页 |
| 2.2.3 噪声参数 | 第19-21页 |
| 2.3 低噪声运算放大器中的基本模型 | 第21-26页 |
| 2.3.1 CMOS器件大信号模型 | 第21-24页 |
| 2.3.2 CMOS器件小信号模型 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 低噪声CMOS放大器的偏置电路设计 | 第27-41页 |
| 3.1 偏置电路的基本原理与性能参数 | 第27-32页 |
| 3.1.1 与电源无关的偏置电压基准基本原理 | 第27-31页 |
| 3.1.2 带隙基准电压源的性能参数 | 第31-32页 |
| 3.2 带隙基准电压源电路设计 | 第32-40页 |
| 3.2.1 一阶无电阻低噪声带隙基准电压源 | 第32-35页 |
| 3.2.2 二阶低噪声带隙基准电压源设计 | 第35-37页 |
| 3.2.3 二阶带隙基准的仿真及性能分析 | 第37-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 宽带低压低噪声CMOS放大器设计 | 第41-58页 |
| 4.1 低噪声放大器的应用技术 | 第41-44页 |
| 4.2 窄带低噪声放大器设计 | 第44-48页 |
| 4.2.1 采用噪声抵消的窄带低噪声放大器设计 | 第44-46页 |
| 4.2.2 窄带LNA仿真性能分析 | 第46-48页 |
| 4.3 宽带低噪声放大器的设计 | 第48-57页 |
| 4.3.1 宽带LNA的输入阻抗匹配 | 第49-51页 |
| 4.3.2 宽带LNA的噪声分析 | 第51-53页 |
| 4.3.3 宽带LNA的性能仿真验证 | 第53-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 低压低噪声CMOS运算放大器设计 | 第58-73页 |
| 5.1 基本放大器单元的噪声分析 | 第58-61页 |
| 5.2 低压低噪声CMOS运算放大器的设计 | 第61-70页 |
| 5.2.1 低噪声运算放大器的噪声分析 | 第62-64页 |
| 5.2.2 低噪声运算放大器的稳定性分析 | 第64-66页 |
| 5.2.3 运算放大器的性能仿真验证 | 第66-70页 |
| 5.3 低噪声运算放大器的噪声性能改进及总结 | 第70-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章全文工作总结与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第73-74页 |
| 6.2 工作展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果 | 第81页 |
