| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 固态图像传感器的发展与现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 CCD与CMOS图像传感器的发展与现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 CCD图像传感器与CMOS图像传感器的比较 | 第12-13页 |
| 1.3 SOI工艺及基于SOI工艺的CMOS图像传感器 | 第13-16页 |
| 1.3.1 SOI工艺及其基本步骤 | 第13-15页 |
| 1.3.2 SOI工艺CMOS图像传感器的优点及应用 | 第15-16页 |
| 1.4 研究目的与意义 | 第16-17页 |
| 1.5 论文内容安排 | 第17-18页 |
| 第2章 CMOS图像传感器像素工作原理与2D工艺仿真 | 第18-36页 |
| 2.1 CMOS图像传感器结构及工作原理 | 第18-25页 |
| 2.1.1 光电转换原理 | 第18-20页 |
| 2.1.2 PD型光电二极管与嵌位光电二极管（PPD) | 第20-22页 |
| 2.1.3 常见CMOS图像传感器像素结构及工作原理 | 第22-25页 |
| 2.2 PPD型4T像素性能指标及噪声分析 | 第25-29页 |
| 2.2.1 像素性能参数 | 第25-27页 |
| 2.2.2 像素噪声分类及机理 | 第27-29页 |
| 2.3 CMOS图像传感器像素结构2D工艺仿真 | 第29-34页 |
| 2.3.1 工艺模拟软件介绍 | 第29-30页 |
| 2.3.2 CMOS图像传感器像素的工艺步骤 | 第30-34页 |
| 2.3.3 工艺仿真结果分析 | 第34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 混合型SOI CMOS 4T像素3D结构模型及其仿真 | 第36-45页 |
| 3.1 几种不同SOI CMOS像素结构及分析 | 第36-38页 |
| 3.1.1 感光元件与MOS管在同一SOI层的像素结构 | 第36-37页 |
| 3.1.2 感光元件与MOS管不制作在同一SOI层的像素结构 | 第37-38页 |
| 3.2 混合型SOI CMOS 4T像素3D模型的建立 | 第38-40页 |
| 3.2.1 混合4T像素3D模型仿真工具介绍 | 第38-39页 |
| 3.2.2 混合4T像素模型建立方法 | 第39-40页 |
| 3.3 SOI CMOS混合4T像素仿真 | 第40-44页 |
| 3.3.1 网格的建立 | 第40-41页 |
| 3.3.2 量子效率仿真 | 第41-42页 |
| 3.3.3 源跟随器的基本特性仿真 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 总剂量辐射对混合型SOI CMOS 4T像素的影响 | 第45-51页 |
| 4.1 对混合型SOI CMOS 4T像素感光区域的影响 | 第45-47页 |
| 4.1.1 对PPD区暗电流影响的分析 | 第45-47页 |
| 4.1.2 对量子效率的影响 | 第47页 |
| 4.2 对像素源跟随器基本特性的影响 | 第47-50页 |
| 4.2.1 对像素源跟随器随机噪声分析 | 第47-49页 |
| 4.2.2 对像素源跟随器Ⅳ特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.3 对混合型SOI CMOS 4T像素输出摆幅的影响 | 第50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 混合型SOI CMOS 4T像素的抗辐射加固 | 第51-63页 |
| 5.1 针对PPD区的抗辐射加固及仿真 | 第51-53页 |
| 5.1.1 对PPD区的抗辐射加固方法 | 第51-52页 |
| 5.1.2 加固PPD区后混合型SOI CMOS 4T像素量子效率 | 第52-53页 |
| 5.2 埋沟SOI NMOS源跟随器 | 第53-56页 |
| 5.2.1 埋沟SOI NMOS模型及工作原理 | 第53-54页 |
| 5.2.2 埋沟SOI NMOS源跟随器基本特性仿真 | 第54-56页 |
| 5.3 应用埋沟SOI NMOS源跟随器混合4T像素 | 第56-57页 |
| 5.4 应用埋沟SOI NMOS源跟随器的4T像素的总剂量辐射特性 | 第57-60页 |
| 5.4.1 源跟随器随机噪声分析 | 第58页 |
| 5.4.2 对N型埋沟源跟随器基本特性的影响 | 第58-59页 |
| 5.4.3 对4T像素输出摆幅的影响 | 第59-60页 |
| 5.5 应用改进后埋沟源跟随器的4T像素辐射特性 | 第60-62页 |
| 5.5.1 改进后的埋沟SOI NMOS源跟随器结构 | 第60-62页 |
| 5.5.2 应用改进后埋沟源跟随器的4T像素的辐射特性 | 第62页 |
| 5.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
