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应用于SRAM的无片外补偿电容LDO设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第9-15页
    1.1 课题背景与意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状第10-13页
    1.3 研究内容与设计指标第13-14页
        1.3.1 研究内容第13页
        1.3.2 设计指标第13-14页
    1.4 论文组织第14-15页
第2章 低压差线性稳压器简介第15-23页
    2.1 无片外补偿电容LDO的结构组成第15-19页
        2.1.1 基准电压源第15-18页
        2.1.2 误差放大器第18页
        2.1.3 功率管和反馈电阻第18-19页
    2.2 无片外补偿电容LDO的性能参数第19-22页
        2.2.1 直流特性第20-21页
        2.2.2 交流特性第21-22页
        2.2.3 瞬态特性第22页
    2.3 本章小结第22-23页
第3章 低温漂高电源抑制比基准电压源设计第23-41页
    3.1 高阶曲率补偿原理第23-26页
        3.1.1 几种常用的曲率补偿方法第24-26页
        3.1.2 本文采用的补偿方法第26页
    3.2 启动电路原理第26-27页
    3.3 完整基准电压源电路设计与优化第27-36页
        3.3.1 基准电压源主体电路的设计与优化第28-32页
        3.3.2 其他子模块的设计第32-36页
    3.4 基准电压源的前仿真和分析第36-40页
        3.4.1 直流特性仿真第36-38页
        3.4.2 交流特性仿真第38-39页
        3.4.3 瞬态特性仿真第39-40页
    3.5 本章小结第40-41页
第4章 LDO电路的设计第41-71页
    4.1 无片外补偿电容LDO的设计重点第41-42页
    4.2 多级放大器的稳定性分析第42-51页
        4.2.1 嵌套式密勒补偿第45-47页
        4.2.2 阻尼系数控制补偿第47-49页
        4.2.3 有源反馈控制补偿第49-51页
    4.3 无片外电容LDO整体电路的设计与优化第51-56页
    4.4 无片外补偿电容LDO的前仿真和分析第56-69页
        4.4.1 直流特性仿真第56-61页
        4.4.2 稳定性仿真第61-65页
        4.4.3 瞬态仿真第65-69页
    4.5 本章小结第69-71页
第5章 版图设计和后仿真第71-97页
    5.1 版图设计的注意事项第71-74页
        5.1.1 版图设计规则第71-72页
        5.1.2 电路功能和电流密度第72页
        5.1.3 版图的匹配第72-73页
        5.1.4 寄生效应第73-74页
        5.1.5 其他二级效应第74页
    5.2 LDO的版图设计与实现第74-79页
        5.2.1 基准电压源版图设计第75-77页
        5.2.2 启动电路版图设计第77页
        5.2.3 误差放大器和功率级设计第77-79页
    5.3 LDO的后仿真与分析第79-95页
        5.3.1 直流特性仿真第79-85页
        5.3.2 电源抑制比仿真第85-87页
        5.3.3 瞬态仿真第87-95页
    5.4 本章小结第95-97页
第6章 总结和展望第97-99页
    6.1 总结第97页
    6.2 展望第97-99页
参考文献第99-101页
攻读硕士学位期间发表的论文第101-103页
致谢第103页

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