| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9-12页 |
| 1.2 SiC半导体材料特性 | 第12-14页 |
| 1.3 紫外探测器件主要参数指标 | 第14-16页 |
| 1.4 4H-SiC肖特基结紫外探测器的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 4H-SiC肖特基结紫外探测器的高温及其可靠性研究 | 第23-36页 |
| 2.1 研究背景 | 第23页 |
| 2.2 4H-SiC肖特基结紫外探测器的制备 | 第23-29页 |
| 2.3 4H-SiC肖特基结紫外探测器的高温性能 | 第29-31页 |
| 2.4 4H-SiC肖特基结紫外探测器的高温可靠性 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 具有滤波功能钝化层的4H-SiC肖特基结紫外探测器 | 第36-45页 |
| 3.1 研究背景 | 第36-37页 |
| 3.2 滤波功能钝化层的原理 | 第37-38页 |
| 3.3 具有滤波功能钝化层紫外探测器的制备 | 第38-41页 |
| 3.4 具有滤波功能钝化层紫外探测器的性能 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 结论与展望 | 第45-47页 |
| 4.1 主要结论 | 第45-46页 |
| 4.2 研究展望 | 第46-47页 |
| 发表论文目录 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
