| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 光电流产生机理 | 第14-17页 |
| 1.2.1 光电导效应 | 第14-15页 |
| 1.2.2 光伏效应 | 第15-16页 |
| 1.2.3 光-热电效应 | 第16页 |
| 1.2.4 Bolometric效应 | 第16-17页 |
| 1.3 光电探测器性能指标 | 第17-19页 |
| 1.3.1 响应率R | 第17页 |
| 1.3.2 外量子效率EQE和内量子效率IQE | 第17页 |
| 1.3.3 响应时间τ和带宽B | 第17-18页 |
| 1.3.4 信噪比SNR,噪声等效功率NEP和探测率D~* | 第18-19页 |
| 1.4 不同二维材料光电探测器 | 第19-27页 |
| 1.4.1 过渡金属硫化物 | 第20-23页 |
| 1.4.2 黑磷 | 第23-24页 |
| 1.4.3 其他二维材料 | 第24-27页 |
| 1.5 本论文主要研究工作 | 第27-28页 |
| 1.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第二章 二维材料及其器件制备与测试 | 第29-36页 |
| 2.1 二维材料的制备方法 | 第29-31页 |
| 2.1.1 机械剥离法 | 第29页 |
| 2.1.2 液相剥离法 | 第29-30页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 | 第30-31页 |
| 2.2 二维材料的结构表征 | 第31-33页 |
| 2.2.1 光学显微镜表征 | 第31页 |
| 2.2.2 原子力显微镜表征(AFM) | 第31-32页 |
| 2.2.3 拉曼光谱表征 | 第32-33页 |
| 2.2.4 光致发光(PL)光谱 | 第33页 |
| 2.3 器件制备流程 | 第33-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 铁电薄膜调控下的In_2Se_3红外光电探测器 | 第36-43页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 器件制备与性能测试 | 第36-42页 |
| 3.2.1 器件制备和电学性能测试 | 第36-39页 |
| 3.2.2 光电性能测试 | 第39-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 高性能MoS_2光电探测器及其光电流产生机制 | 第43-51页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 器件制备及其电学性能测试 | 第43-44页 |
| 4.3 光电性能及其光电流产生机制 | 第44-50页 |
| 4.3.1 光电性能测试 | 第44-46页 |
| 4.3.2 分析光电流产生机制 | 第46-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-62页 |
| 硕士期间发表文章 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
