摘要 | 第10-14页 |
Abstract | 第14-18页 |
主要符号说明 | 第19-20页 |
缩略词 | 第20-21页 |
第1章 绪论 | 第21-45页 |
1.1 微电子学 | 第21-22页 |
1.2 自旋电子学 | 第22-28页 |
1.2.1 自旋电子学简介 | 第22-24页 |
1.2.2 自旋-轨道相互作用 | 第24-26页 |
1.2.3 自旋电子学的应用 | 第26-28页 |
1.3 Si基磁性半导体 | 第28-30页 |
1.4 反常霍尔效应 | 第30-38页 |
1.4.1 反常霍尔效应的三种机制 | 第32-36页 |
1.4.2 界面对电输运性质的影响 | 第36-37页 |
1.4.3 双带模型简介 | 第37-38页 |
1.5 本论文的研究内容与意义 | 第38-40页 |
参考文献 | 第40-45页 |
第2章 样品的制备技术和表征方法 | 第45-61页 |
2.1 制备技术 | 第45-51页 |
2.1.1 磁控溅射的基本原理 | 第45-50页 |
2.1.2 磁控溅射仪简介 | 第50-51页 |
2.2 实验细节 | 第51-52页 |
2.3 样品的表征方法 | 第52-59页 |
2.3.1 结构表征 | 第52-55页 |
2.3.2 磁性表征 | 第55-57页 |
2.3.3 电输运测量 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-61页 |
第3章 Mn_xSi_(1-x)非晶薄膜的磁性以及电输运研究 | 第61-77页 |
3.1 引言 | 第61-62页 |
3.2 Mn_xSi_(1-x)非晶薄膜的制备 | 第62页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第62-73页 |
3.3.1 样品结构 | 第63-64页 |
3.3.2 Mn_xSi_(1-x)非晶薄膜的磁性 | 第64-67页 |
3.3.3 Mn_(0.48)Si_(0.52)非晶薄膜的反常霍尔效应 | 第67-73页 |
3.4 本章小结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
第4章 Mn_xSi_(1-x)/SiO_2/Si p-i-n异质结的反常霍尔效应 | 第77-97页 |
4.1 引言 | 第77-78页 |
4.2 Mn_xSi_(1-x)/SiO_2/Si p-i-n异质结的制备 | 第78页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第78-92页 |
4.3.1 样品结构 | 第78-79页 |
4.3.2 Mn_xSi_(1-x)非晶薄膜的磁性 | 第79-82页 |
4.3.3 Mn_(0.48)Si_(0.52)/SiO_2/Si p-i-n异质结的反常霍尔效应 | 第82-90页 |
4.3.4 Mn_(0.48)Si_(0.52)/Si p-n结的电输运研究 | 第90-92页 |
4.4 本章小结 | 第92-94页 |
参考文献 | 第94-97页 |
第5章 界面势垒对Mn_(0.48)Si_(0.52)非晶薄膜的电输运影响 | 第97-107页 |
5.1 引言 | 第97页 |
5.2 Mn_(0.48)Si_(0.52)非晶薄膜的制备 | 第97-98页 |
5.3 实验结果与讨论 | 第98-104页 |
5.4 本章小结 | 第104-106页 |
参考文献 | 第106-107页 |
第6章 (FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)薄膜与(FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)/Ge p-p结的电输运研究 | 第107-125页 |
6.1 引言 | 第107-108页 |
6.2 (FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)非晶磁性薄膜的制备 | 第108页 |
6.3 实验结果与讨论 | 第108-120页 |
6.3.1 (FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)非晶磁性薄膜的电输运性质 | 第108-113页 |
6.3.2 (FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)/Ge p-p结的电输运性质 | 第113-120页 |
6.4 本章小结 | 第120-122页 |
参考文献 | 第122-125页 |
第7章 总结与展望 | 第125-129页 |
7.1 总结 | 第125-127页 |
7.2 本论文的特色和创新 | 第127-128页 |
7.3 工作展望 | 第128-129页 |
致谢 | 第129-131页 |
攻读博士期间发表及将要发表的学术论文 | 第131-132页 |
参加的学术会议 | 第132-133页 |
附件 | 第133-143页 |
附表 | 第143页 |