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Ⅳ族非晶半导体薄膜的磁性与电输运研究

摘要第10-14页
Abstract第14-18页
主要符号说明第19-20页
缩略词第20-21页
第1章 绪论第21-45页
    1.1 微电子学第21-22页
    1.2 自旋电子学第22-28页
        1.2.1 自旋电子学简介第22-24页
        1.2.2 自旋-轨道相互作用第24-26页
        1.2.3 自旋电子学的应用第26-28页
    1.3 Si基磁性半导体第28-30页
    1.4 反常霍尔效应第30-38页
        1.4.1 反常霍尔效应的三种机制第32-36页
        1.4.2 界面对电输运性质的影响第36-37页
        1.4.3 双带模型简介第37-38页
    1.5 本论文的研究内容与意义第38-40页
    参考文献第40-45页
第2章 样品的制备技术和表征方法第45-61页
    2.1 制备技术第45-51页
        2.1.1 磁控溅射的基本原理第45-50页
        2.1.2 磁控溅射仪简介第50-51页
    2.2 实验细节第51-52页
    2.3 样品的表征方法第52-59页
        2.3.1 结构表征第52-55页
        2.3.2 磁性表征第55-57页
        2.3.3 电输运测量第57-59页
    参考文献第59-61页
第3章 Mn_xSi_(1-x)非晶薄膜的磁性以及电输运研究第61-77页
    3.1 引言第61-62页
    3.2 Mn_xSi_(1-x)非晶薄膜的制备第62页
    3.3 实验结果与讨论第62-73页
        3.3.1 样品结构第63-64页
        3.3.2 Mn_xSi_(1-x)非晶薄膜的磁性第64-67页
        3.3.3 Mn_(0.48)Si_(0.52)非晶薄膜的反常霍尔效应第67-73页
    3.4 本章小结第73-74页
    参考文献第74-77页
第4章 Mn_xSi_(1-x)/SiO_2/Si p-i-n异质结的反常霍尔效应第77-97页
    4.1 引言第77-78页
    4.2 Mn_xSi_(1-x)/SiO_2/Si p-i-n异质结的制备第78页
    4.3 实验结果与讨论第78-92页
        4.3.1 样品结构第78-79页
        4.3.2 Mn_xSi_(1-x)非晶薄膜的磁性第79-82页
        4.3.3 Mn_(0.48)Si_(0.52)/SiO_2/Si p-i-n异质结的反常霍尔效应第82-90页
        4.3.4 Mn_(0.48)Si_(0.52)/Si p-n结的电输运研究第90-92页
    4.4 本章小结第92-94页
    参考文献第94-97页
第5章 界面势垒对Mn_(0.48)Si_(0.52)非晶薄膜的电输运影响第97-107页
    5.1 引言第97页
    5.2 Mn_(0.48)Si_(0.52)非晶薄膜的制备第97-98页
    5.3 实验结果与讨论第98-104页
    5.4 本章小结第104-106页
    参考文献第106-107页
第6章 (FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)薄膜与(FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)/Ge p-p结的电输运研究第107-125页
    6.1 引言第107-108页
    6.2 (FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)非晶磁性薄膜的制备第108页
    6.3 实验结果与讨论第108-120页
        6.3.1 (FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)非晶磁性薄膜的电输运性质第108-113页
        6.3.2 (FeCo)_(0.67)Ge_(0.33)/Ge p-p结的电输运性质第113-120页
    6.4 本章小结第120-122页
    参考文献第122-125页
第7章 总结与展望第125-129页
    7.1 总结第125-127页
    7.2 本论文的特色和创新第127-128页
    7.3 工作展望第128-129页
致谢第129-131页
攻读博士期间发表及将要发表的学术论文第131-132页
参加的学术会议第132-133页
附件第133-143页
附表第143页

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