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硅基微环谐振腔的设计与制作

致谢第1-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7-11页
1 引言第11-17页
   ·研究背景和意义第11-16页
     ·硅基微环谐振腔的研究进展第12-15页
     ·硅基微环谐振腔的研究意义第15-16页
   ·本文的主要内容第16-17页
2 SOI微环谐振腔第17-30页
   ·SOI光波导器件第17-20页
     ·SOI光波导的模式特性第17-19页
     ·SOI光波导的损耗特性第19-20页
   ·微环谐振腔的基本特性和理论分析第20-29页
     ·微环谐振腔的基本结构第23-27页
     ·微环谐振腔的主要性能参数第27-29页
   ·本章小结第29-30页
3 SOI高Q微环谐振腔的设计第30-40页
   ·仿真设置第30-33页
     ·时域有限差分法(FDTD)介绍第30-31页
     ·仿真软件的设计流程第31-32页
     ·仿真软件中Q值的计算原理第32-33页
   ·仿真模拟第33-39页
     ·结构设计第34-35页
     ·波导宽度和损耗的关系第35-36页
     ·微环波导宽度和Q值的关系第36-38页
     ·耦合间距、平板高度对Q值的影响第38-39页
   ·本章小结第39-40页
4 SOI微环谐振腔的制作与实验第40-51页
   ·微环谐振腔的制作第40-44页
     ·版图的设计第40-41页
     ·关键工艺介绍第41-44页
   ·微环谐振腔的测试第44-50页
     ·测试系统第45-46页
     ·测试结果及分析比较第46-50页
   ·本章小结第50-51页
5 结论第51-52页
参考文献第52-56页
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果第56-58页
学位论文数据集第58页

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