电磁脉冲弹对典型电子器件的毁伤机理
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·背景及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外的研究现状 | 第11-14页 |
| ·国外的研究现状 | 第11-13页 |
| ·国内的研究现状 | 第13-14页 |
| ·论文的研究方法和主要内容 | 第14-16页 |
| 第二章 电磁脉冲弹的作战效能 | 第16-32页 |
| ·电磁脉冲弹概述 | 第16-19页 |
| ·电磁脉冲弹的组成及工作原理 | 第16-17页 |
| ·电磁脉冲弹的作战特点 | 第17-19页 |
| ·电磁脉冲弹的作战机理 | 第19页 |
| ·电磁脉冲弹的毁伤效能 | 第19-31页 |
| ·电磁脉冲弹的辐射功率 | 第19-20页 |
| ·辐射电磁波的波形 | 第20-21页 |
| ·作战区域分析 | 第21-23页 |
| ·目标处的能量密度 | 第23-26页 |
| ·目标处的场强 | 第26-28页 |
| ·能量耦合 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 电子器件的电磁脉冲毁伤机理 | 第32-42页 |
| ·半导体器件的失效模式 | 第32-33页 |
| ·半导体器件的失效机理 | 第33-36页 |
| ·电迁移 | 第34-35页 |
| ·氧化层和介质击穿 | 第35页 |
| ·雪崩击穿 | 第35页 |
| ·二次击穿 | 第35-36页 |
| ·NMOS器件的EMP失效机理 | 第36-41页 |
| ·NMOS管的结构分析 | 第37-38页 |
| ·增强型NMOS管的工作原理 | 第38-39页 |
| ·NMOS结构的失效分析 | 第39-40页 |
| ·NMOS结构的失效判定 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 NMOS器件模型建立与分析 | 第42-55页 |
| ·工艺器件仿真工具ISE-TCAD | 第42-44页 |
| ·器件生成工具MDRAW | 第43页 |
| ·器件仿真工具DESSIS | 第43-44页 |
| ·结果查看工具INSPECT和TECPLOT | 第44页 |
| ·器件设计流程 | 第44-45页 |
| ·器件模型参数选取 | 第45-49页 |
| ·传输方程模型 | 第46-47页 |
| ·能带模型 | 第47-48页 |
| ·迁移率模型 | 第48-49页 |
| ·复合模型 | 第49页 |
| ·NMOS结构在ISE-TCAD中的建模 | 第49-50页 |
| ·NMOS器件特性验证 | 第50-53页 |
| ·NMOS管的转移特性验证 | 第51页 |
| ·NMOS管的输出特性验证 | 第51-52页 |
| ·NMOS管的击穿特性验证 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 NMOS在EMP下的瞬态响应 | 第55-71页 |
| ·NMOS的动态仿真 | 第55-56页 |
| ·NMOS器件的HMP仿真结果分析 | 第56-61页 |
| ·器件内部电热仿真分析 | 第57-58页 |
| ·电场强度分布情况 | 第58-59页 |
| ·电流密度分布情况 | 第59-60页 |
| ·温度分布情况 | 第60-61页 |
| ·NMOS器件单周期响应分析 | 第61-66页 |
| ·正半周期内器件内部的变化 | 第61-64页 |
| ·负半周期内器件内部的变化 | 第64-66页 |
| ·NMOS器件烧毁时间的影响因素 | 第66-68页 |
| ·注入电压对烧毁时间的影响 | 第66-67页 |
| ·信号频率对烧毁时间的影响 | 第67-68页 |
| ·试验验证 | 第68-69页 |
| ·电子设备对电磁脉冲弹的防护 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-74页 |
| ·总结 | 第71-72页 |
| ·本文存在的不足 | 第72页 |
| ·展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
