摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-26页 |
·电介质材料及其电极化 | 第11-13页 |
·极化的微观机制 | 第12页 |
·介电性能表征 | 第12-13页 |
·高频PCB基板概述 | 第13-15页 |
·PCB 基板简介 | 第13页 |
·高频PCB 性能要求 | 第13-15页 |
·陶瓷/聚合物复合材料研究现状 | 第15-19页 |
·陶瓷/聚合物介电复合材料研究概况 | 第15-16页 |
·复合材料介电性能影响因素 | 第16-18页 |
·电介质复合材料制备工艺 | 第18-19页 |
·陶瓷/聚合物复合材料的介电模型 | 第19-24页 |
·Lichtenecker Logarithmic 模型 | 第20-22页 |
·Maxwell 介质方程 | 第22页 |
·Bruggeman 有效介质模型 | 第22-23页 |
·EMT 模型 | 第23-24页 |
·本文的主要研究内容 | 第24-26页 |
第2章 材料的选择和测试的基本方法 | 第26-31页 |
·材料的选择 | 第26-27页 |
·聚合物基体相的选择 | 第26页 |
·陶瓷填充相的选择 | 第26-27页 |
·复合材料制备流程 | 第27-28页 |
·BaTi_4O_9/MSR 混合浆料的制备 | 第27-28页 |
·复合材料的制备 | 第28页 |
·BaTi_4O_9粉体的KH550 偶联改性 | 第28页 |
·测试方法及测试仪器 | 第28-31页 |
·实验仪器列表 | 第28-29页 |
·性能测试及表征 | 第29-31页 |
第3章 BaTi_4O_9粉体的合成及表征 | 第31-45页 |
·BaTi_4O_9溶胶溶液的配置 | 第31-32页 |
·BaTi_4O_9溶胶凝胶工艺过程控制 | 第32-34页 |
·Ba、Ti 浓度对凝胶过程的影响 | 第33页 |
·pH 值对凝胶过程的影响 | 第33-34页 |
·H20 含量对凝胶过程的影响 | 第34页 |
·BaTi_4O_9凝胶的晶化过程分析 | 第34-38页 |
·干凝胶的TG-DTA 分析 | 第34-35页 |
·粉体物相和形貌分析 | 第35-38页 |
·BaTi_4O_9的烧结特性及介电性能 | 第38-44页 |
·无压烧结 | 第38-41页 |
·放电等离子烧结(SPS) | 第41-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
第4章 BaTi_4O_9/MSR 复合材料的制备及介电性能研究 | 第45-65页 |
·BaTi_4O_9/MSR共混体系的固化反应动力学研究 | 第45-52页 |
·共混体系的固化行为 | 第45-47页 |
·固化反应动力学参数 | 第47-50页 |
·固化工艺的确定 | 第50-52页 |
·甲基苯基硅树脂的性能 | 第52-57页 |
·红外光谱分析 | 第52-53页 |
·XRD 分析 | 第53-54页 |
·甲基苯基硅树脂的凝胶特性 | 第54-55页 |
·甲基苯基硅树脂的耐热性能 | 第55-57页 |
·甲基苯基硅树脂的介电性能 | 第57页 |
·复合材料的物相及微观组织结构 | 第57-60页 |
·复合材料的XRD 分析 | 第57-58页 |
·复合材料的微观组织结构 | 第58-60页 |
·复合材料的介电性能研究 | 第60-62页 |
·复合材料的介电常数与陶瓷相体积分数的关系 | 第60-61页 |
·复合材料的介电常数与频率的关系 | 第61页 |
·复合材料的介电损耗与频率的关系 | 第61-62页 |
·复合材料的耐热性能 | 第62-63页 |
·本章小结 | 第63-65页 |
第5章 KH550 对复合材料结构与介电性能的影响 | 第65-82页 |
·偶联剂的作用机理 | 第65-66页 |
·BaTi_4O_9的偶联剂改性工艺优化 | 第66-70页 |
·偶联剂用量的优化 | 第66-67页 |
·偶联改性温度的优化 | 第67-68页 |
·偶联改性时间的优化 | 第68-69页 |
·改性后BaTi_4O_9粉体的表征 | 第69-70页 |
·复合材料性能表征 | 第70-75页 |
·复合材料的致密度 | 第70-71页 |
·KH550 改性 BaTi_4O_9/MSR 复合材料的显微结构 | 第71-72页 |
·KH550 改性BaTi_4O_9/MSR 复合材料的介电性能 | 第72-75页 |
·BaTi_4O_9/MSR复合材料介电常数的理论模拟分析 | 第75-80页 |
·复合材料介电常数的经验计算 | 第75-77页 |
·复合材料介电常数的理论模拟 | 第77-80页 |
·本章小结 | 第80-82页 |
结论 | 第82-84页 |
参考文献 | 第84-89页 |
致谢 | 第89页 |