摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
引言 | 第9-11页 |
第1章 文献综述 | 第11-25页 |
·碳化硅概述 | 第11-13页 |
·碳化硅的结构 | 第11-12页 |
·碳化硅的性质及其应用 | 第12-13页 |
·碳化硅的合成方法 | 第13-18页 |
·高比表面积碳化硅概述 | 第13-15页 |
·碳化硅纳米线概述 | 第15-18页 |
·甲烷干重整制合成气概述 | 第18-23页 |
·合成气制备简介 | 第18-19页 |
·DRM反应机理 | 第19-21页 |
·DRM反应催化剂的发展 | 第21-23页 |
·论文的选题依据与主要内容 | 第23-25页 |
第2章 高比表面积碳化硅的制备研究 | 第25-34页 |
·引言 | 第25页 |
·材料合成与表征 | 第25-26页 |
·实验试剂 | 第25页 |
·材料合成方法 | 第25-26页 |
·样品的表征 | 第26页 |
·结果讨论 | 第26-33页 |
·氧化硅多孔材料的制备 | 第26-28页 |
·碳化硅的制备 | 第28-33页 |
·结论 | 第33-34页 |
第3章 碳化硅形貌调控的研究 | 第34-50页 |
·引言 | 第34页 |
·材料合成与表征 | 第34-35页 |
·实验试剂 | 第34页 |
·制备方法 | 第34-35页 |
·表征方法 | 第35页 |
·结果和讨论 | 第35-48页 |
·高含量催化剂得到的碳化硅 | 第35-40页 |
·较低含量催化剂得到的碳化硅 | 第40-43页 |
·碳化硅纳米线纳米线 | 第43-47页 |
·碳化硅纳米线生长机理 | 第47-48页 |
·小结 | 第48-50页 |
第4章 催化剂Ni/CeO_2/SiC的制备及对甲烷干重整反应催化性能的研究 | 第50-59页 |
·引言 | 第50页 |
·材料合成与表征 | 第50-52页 |
·实验试剂 | 第50-51页 |
·催化剂的制备 | 第51页 |
·催化剂的表征 | 第51页 |
·甲烷干重整反应 | 第51-52页 |
·结果与讨论 | 第52-58页 |
·催化剂的组分分析 | 第52-53页 |
·催化剂的XRD表征 | 第53页 |
·催化剂的XPS表征 | 第53-54页 |
·催化性能研究 | 第54-56页 |
·催化反应后催化剂的性能表征 | 第56-58页 |
·总结 | 第58-59页 |
第5章 总结与展望 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
在读期间发表或待发表的论文 | 第70页 |