| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·光纤通信系统简介 | 第9-10页 |
| ·光接收机简介 | 第10-11页 |
| ·硅衬底光接收机研究现状 | 第11-16页 |
| ·本论文的研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 标准 SiGe BiCMOS 光接收机基础理论 | 第18-42页 |
| ·光接收机标准 SiGe BiCMOS 工艺集成与基本特性参数 | 第18-24页 |
| ·光接收机的标准 SiGe BiCMOS 工艺单片集成 | 第18-19页 |
| ·光接收机传输数据格式 | 第19-21页 |
| ·光接收机特性参数 | 第21-24页 |
| ·光电探测器基础 | 第24-31页 |
| ·光电探测器工作机理及特性参数 | 第24-27页 |
| ·PN 型光电探测器 | 第27页 |
| ·PIN 光电探测器 | 第27-28页 |
| ·金属-半导体-金属光电探测器（MSM-PD） | 第28-30页 |
| ·雪崩光电探测器（APD） | 第30页 |
| ·光电晶体管 | 第30-31页 |
| ·光接收机模拟前端放大电路概述 | 第31-36页 |
| ·跨阻放大器 | 第32-34页 |
| ·限幅放大器 | 第34-35页 |
| ·输出缓冲级 | 第35-36页 |
| ·光接收机的宽带技术 | 第36-42页 |
| ·电感峰化 | 第36-38页 |
| ·电容简并 | 第38-39页 |
| ·零极点对消 | 第39页 |
| ·高通滤波器叠加技术 | 第39-42页 |
| 第三章 标准 SiGe BiCMOS 光电探测器的模拟与设计 | 第42-71页 |
| ·标准 SiGe BiCMOS 工艺光电探测器概述 | 第42-44页 |
| ·标准 SiGe BiCMOS 工艺基于衬底的光电探测器 | 第44-51页 |
| ·n+有源区—衬底光电探测器 | 第44-47页 |
| ·n阱—衬底光电探测器 | 第47-49页 |
| ·基于衬底的光电探测器总结 | 第49-51页 |
| ·标准 SiGe BiCMOS 工艺基于阱的光电探测器 | 第51-63页 |
| ·双光电二极管（DPD） | 第51-57页 |
| ·基于 n阱的金属—半导体—金属光电探测器（n阱 MSM-PD） | 第57-63页 |
| ·基于阱的光电探测器总结 | 第63页 |
| ·标准 SiGe BiCMOS 工艺异质结 PIN 光电探测器 | 第63-69页 |
| ·性能分析与模拟 | 第63-68页 |
| ·总结 | 第68-69页 |
| ·标准 SiGe BiCMOS 工艺异质结光电晶体管 | 第69-71页 |
| 第四章 标准 SiGe BiCMOS 光接收机模拟前端放大电路设计 | 第71-91页 |
| ·跨阻放大器 | 第71-86页 |
| ·差分共射跨阻放大器设计 | 第72-77页 |
| ·单端 RGC 前置放大器设计 | 第77-82页 |
| ·差分 RGC 前置放大器设计 | 第82-86页 |
| ·限幅放大器 | 第86-89页 |
| ·输出缓冲级 | 第89-91页 |
| 第五章 标准 SiGe BiCMOS 光接收机整体仿真与版图设计 | 第91-105页 |
| ·光接收机的整体仿真 | 第91-97页 |
| ·集成差分共射跨阻放大器的光接收机整体仿真 | 第91-93页 |
| ·集成单端 RGC 前置放大器的光接收机整体仿真 | 第93-95页 |
| ·集成差分 RGC 前置放大器的光接收机整体仿真 | 第95-97页 |
| ·光接收机的版图设计 | 第97-105页 |
| ·版图设计要点 | 第97-99页 |
| ·光电探测器版图设计 | 第99-101页 |
| ·光接收机电路版图 | 第101-102页 |
| ·光接收机整体版图 | 第102-105页 |
| 第六章 标准 SiGe BiCMOS 光接收机测试结果 | 第105-124页 |
| ·光电探测器测试结果 | 第105-110页 |
| ·光电探测器测试方案 | 第105-106页 |
| ·光电探测器测试结果 | 第106-110页 |
| ·光接收机测试结果 | 第110-124页 |
| ·光接收机测试方案 | 第110-113页 |
| ·光接收机电路测试结果 | 第113-121页 |
| ·单片集成光接收机芯片照片 | 第121-124页 |
| 第七章 总结与展望 | 第124-127页 |
| 参考文献 | 第127-135页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第135-136页 |
| 致谢 | 第136页 |
