| 致谢 | 第1-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·ZnO 基紫外探测器的研究概况 | 第14-19页 |
| ·M-S-M 型 ZnO 紫外探测器 | 第14-16页 |
| ·ZnO 基 p-n 结型紫外探测器 | 第16-19页 |
| ·ZnO 基紫外探测器性能的参数概述 | 第19-21页 |
| ·光响应度 | 第19-20页 |
| ·量子效率 | 第20页 |
| ·探测率 | 第20-21页 |
| ·灵敏度 | 第21页 |
| ·研究目的及意义 | 第21-22页 |
| ·研究思路及内容 | 第22-23页 |
| 第二章 ZnO 纳米晶紫外探测器的制备 | 第23-31页 |
| 摘要 | 第23页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·ZnO 纳米晶紫外探测器的工作原理 | 第23-24页 |
| ·实验方法 | 第24-25页 |
| ·致密 ZnO 纳米晶薄膜的制备 | 第24-25页 |
| ·表征与分析方法 | 第25页 |
| ·实验结果与分析 | 第25-30页 |
| ·致密 ZnO 薄膜的物相分析 | 第25页 |
| ·不同退火条件下的 ZnO 薄膜的形貌表征 | 第25-26页 |
| ·三种退火条件下的 ZnO 纳米结构紫外探测器的 I-V 曲线测试及分析 | 第26-28页 |
| ·三种退火条件下的 ZnO 纳米结构紫外探测器的 I-t 曲线测试及分析 | 第28-30页 |
| ·本章结论 | 第30-31页 |
| 第三章 AgBiS_2量子点敏化 ZnO 紫外探测器的制备 | 第31-56页 |
| 摘要 | 第31页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·AgBiS_2量子点敏化 ZnO 纳米晶紫外探测器的工作原理 | 第31-33页 |
| ·实验方法 | 第33-35页 |
| ·AgBiS_2量子点的制备 | 第33页 |
| ·AgBiS_2量子点的分散性处理工艺 | 第33-34页 |
| ·AgBiS_2量子点的表面处理 | 第34页 |
| ·AgBiS_2量子点敏化 ZnO 纳米晶紫外探测器的制备 | 第34-35页 |
| ·表征与分析方法 | 第35页 |
| ·实验结果与分析 | 第35-40页 |
| ·光敏化层 AgBiS_2量子点的表征 | 第35-39页 |
| ·尺寸均一、单分散 AgBiS_2量子点的表征与分析 | 第39-40页 |
| ·AgBiS2离子置换前后的光学表征 | 第40页 |
| ·退火条件对 AgBiS_2量子点敏化 ZnO 探测器性能的影响 | 第40-44页 |
| ·量子点敏化次数的研究 | 第40-41页 |
| ·S~(2-)离子置换工艺对 AgBiS_2/ZnO 探测器性能影响的研究 | 第41-43页 |
| ·ZnO 的热处理工艺对 AgBiS_2/ZnO 探测器性能影响的研究 | 第43-44页 |
| ·热处理工艺对 AgBiS_2量子点敏化 ZnO 探测性能的研究 | 第44-51页 |
| ·三种条件下 ZnO/AgBiS_2敏化前后的I-V曲线对比分析 | 第44-46页 |
| ·各种退火条件下的 ZnO 紫外探测器敏化 AgBiS_2量子点前后的 I-t曲线对比分析 | 第46-49页 |
| ·对光电性能最好的方案 1 光电性能的进一步研究 | 第49页 |
| ·被 AgBiS_2量子点敏化前后的 ZnO 纳米结构紫外探测器在 UV 探测上的潜在应用的研究（Short Time） | 第49-50页 |
| ·入射波长以及功率大小一定的情况下不同的外置偏压对光电性能的影响 | 第50-51页 |
| ·AgBiS_2/ZnO 紫外探测器的钝化处理 | 第51-55页 |
| ·Al_2O_3/AgBiS_2/ZnO 纳米结构紫外探测器的 I-V 曲线分析 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 全文总结及展望 | 第56-58页 |
| ·本文取得的成果及主要意义 | 第56页 |
| ·有待进一步解决的问题 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第61-62页 |
