| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-31页 |
| ·引线框架材料的研究与展望 | 第15-19页 |
| ·引线框架材料应用 | 第15-16页 |
| ·国外集成电路用引线框架材料的研究现状 | 第16-17页 |
| ·国内集成电路用引线框架材料的研究现状 | 第17-19页 |
| ·Cu-Ni-Si 系引线框架材料的研究与展望 | 第19-22页 |
| ·Cu-Ni-Si 系合金的研究现状 | 第19-20页 |
| ·Cu-Ni-Si 系合金的主要制备方法 | 第20-22页 |
| ·快速凝固高强高导铜合金的研究及展望 | 第22-31页 |
| ·快速凝固合金的组织结构特点 | 第23-25页 |
| ·快速凝固的几种主要的方法 | 第25-28页 |
| ·快速凝固高强高导铜合金的发展 | 第28-31页 |
| 第2章 试验内容与试验方法 | 第31-39页 |
| ·试验过程 | 第31-32页 |
| ·试验材料的设计与制备 | 第32-35页 |
| ·合金的成分设计 | 第32-33页 |
| ·试验母材的制备 | 第33-35页 |
| ·试验内容 | 第35-36页 |
| ·普通铸态组织与性能研究 | 第35-36页 |
| ·固溶处理试验 | 第36页 |
| ·时效工艺试验 | 第36页 |
| ·冷塑变形 | 第36页 |
| ·材料组织形貌分析 | 第36-37页 |
| ·金相样品制备 | 第36-37页 |
| ·扫描电镜样品制备 | 第37页 |
| ·XRD 样品制备 | 第37页 |
| ·性能测试 | 第37-38页 |
| ·硬度试验 | 第37-38页 |
| ·导电率 | 第38页 |
| ·试验设备 | 第38-39页 |
| 第3章 快速凝固对 CuNiSiCrZn 合金的组织与性能的影响 | 第39-52页 |
| ·前言 | 第39页 |
| ·普通熔铸与快速凝固 CuNiSiCrZn 合金的微观组织对比 | 第39-45页 |
| ·不同冷却速度下的显微组织 | 第39-44页 |
| ·冷却速度的计算 | 第44-45页 |
| ·不同制备方法下的硬度及导电率的影响 | 第45-46页 |
| ·强化机理 | 第46-51页 |
| ·固溶强化 | 第46-47页 |
| ·细晶强化 | 第47-51页 |
| ·快速凝固制备工艺对导电率的影响 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 时效处理对快速凝固 CuNiSiCrZn 合金的组织与性能的影响 | 第52-67页 |
| ·前言 | 第52页 |
| ·时效温度对不同制备方法得到 CuNiSiCrZn 合金的组织与性能的影响 | 第52-53页 |
| ·时效时间对不同制备方法得到 CuNiSiCrZn 合金的组织和性能的影响 | 第53-63页 |
| ·沉淀强化机制 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 时效前冷变形对快速凝固 CuNiSiCrZn 合金组织与性能的影响 | 第67-77页 |
| ·前言 | 第67页 |
| ·冷变形对不同制备方法得到的 CuNiSiCrZn 合金组织与性能的影响 | 第67-70页 |
| ·时效前冷变形对不同制备方法得到的 CuNiSiCrZn 合金性能的影响 | 第70-72页 |
| ·强化机理 | 第72-74页 |
| ·形变强化 | 第72-74页 |
| ·冷加工对金属导电率的影响 | 第74页 |
| ·本章小结 | 第74-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
