固结磨料研磨SiC晶体基片研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·课题来源 | 第11页 |
| ·论文选题背景 | 第11-12页 |
| ·碳化硅晶体材料的特性 | 第12-16页 |
| ·碳化硅的晶体结构 | 第12-15页 |
| ·碳化硅的物理性质 | 第15-16页 |
| ·碳化硅的化学性质 | 第16页 |
| ·碳化硅晶体的加工工艺 | 第16页 |
| ·研磨技术及其研究状况 | 第16-17页 |
| ·SiC 晶体基片研磨加工技术 | 第17-19页 |
| ·SiC 晶体基片研磨加工技术的研究现状 | 第17-18页 |
| ·固结磨料研磨加工技术 | 第18-19页 |
| ·论文研究内容 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 试验条件及研究方法 | 第21-29页 |
| ·试验仪器与设备 | 第21-23页 |
| ·检测仪器及设备 | 第23-24页 |
| ·试验样品 | 第24页 |
| ·SiC 晶体基片研磨因素分析 | 第24-27页 |
| ·研磨盘 | 第25-26页 |
| ·磨料 | 第26页 |
| ·研磨膏 | 第26-27页 |
| ·试验设计方法的选择 | 第27页 |
| ·试验数据处理方法的选择 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 游离磨料研磨 SiC 晶体基片的研究 | 第29-42页 |
| ·研磨参数对研磨材料去除率的影响研究 | 第29-33页 |
| ·试验因子的确定 | 第29页 |
| ·试验因子-水平表的制定 | 第29页 |
| ·正交试验安排及结果 | 第29-31页 |
| ·正交试验数据分析 | 第31-33页 |
| ·研磨膏成分优化试验 | 第33-36页 |
| ·选定试验因子及水平 | 第33页 |
| ·正交试验安排及结果 | 第33-35页 |
| ·正交试验数据分析 | 第35-36页 |
| ·研磨膏中磨料的研磨特性研究 | 第36-41页 |
| ·选定试验因子及水平 | 第36页 |
| ·研磨膏磨料试验安排及结果 | 第36-39页 |
| ·无磨料研磨膏试验 | 第36-37页 |
| ·白刚玉研磨膏试验 | 第37-38页 |
| ·碳化硼研磨膏试验 | 第38页 |
| ·金刚石研磨膏试验 | 第38-39页 |
| ·研磨膏磨料试验结果因素—指标关系趋势图分析 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 固结磨料研磨 SiC 晶体基片 | 第42-53页 |
| ·固结磨料研磨盘研制 | 第42-43页 |
| ·研磨碳化硅晶体基片（0001）Si 面 | 第43-47页 |
| ·试验方案的确定 | 第43页 |
| ·析因试验安排及结果 | 第43-44页 |
| ·析因试验数据分析 | 第44-47页 |
| ·方差分析 | 第44-47页 |
| ·因素—指标关系趋势图分析 | 第47页 |
| ·研磨碳化硅晶体基片（0001）C 面 | 第47-51页 |
| ·试验方案的确定 | 第47页 |
| ·析因试验安排及结果 | 第47-49页 |
| ·析因试验数据分析 | 第49-51页 |
| ·方差分析 | 第49-51页 |
| ·因素—指标关系趋势图分析 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 固结磨料研磨特性研究 | 第53-60页 |
| ·研究目的 | 第53页 |
| ·试验方案 | 第53-54页 |
| ·试验结果 | 第54-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 SiC 晶体基片固结磨料研磨加工工艺研究 | 第60-66页 |
| ·研磨时间的影响 | 第60-62页 |
| ·研究的目的 | 第60页 |
| ·试验方案 | 第60-61页 |
| ·试验结果分析 | 第61-62页 |
| ·转速的影响 | 第62-64页 |
| ·研究目的 | 第62-63页 |
| ·试验安排及结果 | 第63页 |
| ·试验结果分析 | 第63-64页 |
| ·研磨工艺优化 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第七章 结论与展望 | 第66-68页 |
| ·研究结论 | 第66-67页 |
| ·研究展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 个人简历 | 第73页 |
