摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-12页 |
目录 | 第12-16页 |
第1章 绪论 | 第16-40页 |
·电子与固体相互作用 | 第16-17页 |
·固体表面电子能谱 | 第17-20页 |
·衍射效应对电子能谱定量分析的影响 | 第20-23页 |
·衍射效应理论方法 | 第20-21页 |
·衍射效应在AES中的影响 | 第21-23页 |
·电子能量损失谱 | 第23-26页 |
·电子显微 | 第26-33页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-30页 |
·(扫描)透射电子显微镜 | 第30-33页 |
·电子能谱和显微的数值模拟方法 | 第33-40页 |
·电子输运Monte Carlo模拟方法 | 第33-35页 |
·量子力学计算方法 | 第35-40页 |
第2章 玻姆力学 | 第40-68页 |
·引言 | 第40-41页 |
·量子力学中的轨迹 | 第41-46页 |
·玻姆力学理论基础 | 第46-47页 |
·玻姆力学的几点假定 | 第47-48页 |
·量子势 | 第48-49页 |
·量子力学流体动力学解释 | 第49-50页 |
·多粒子体系玻姆理论 | 第50-53页 |
·非局域性 | 第53-54页 |
·经典极限 | 第54-55页 |
·玻姆力学因果解释 | 第55-58页 |
·玻姆轨迹与Feynman路径积分的关系 | 第58-60页 |
·量子轨迹测量 | 第60-64页 |
·量子轨迹计算方法 | 第64-68页 |
·第一类计算方法 | 第64页 |
·第二类计算方法 | 第64-65页 |
·第三类及计算方法 | 第65-68页 |
第3章 基于Monte Carlo方法计算非晶材料背散射因子 | 第68-88页 |
·背景介绍 | 第68-70页 |
·理论模型 | 第70-73页 |
·背散射因子的定义 | 第70-71页 |
·俄歇电子信号强度 | 第71页 |
·Monte Carlo模型 | 第71-72页 |
·背散射因子计算 | 第72-73页 |
·结果和讨论 | 第73-86页 |
·数据库 | 第75-76页 |
·背散射因子举例 | 第76-84页 |
·计算俄歇信号强度 | 第84-86页 |
·本章小结 | 第86-88页 |
第4章 晶体表面信号电子发射深度分布函数计算 | 第88-104页 |
·背景介绍 | 第88-89页 |
·理论 | 第89-91页 |
·Bloch波理论 | 第89-91页 |
·EMDDF的计算 | 第91页 |
·结果和讨论 | 第91-102页 |
·EMDDF计算的收敛性 | 第92-93页 |
·对发射极角的依赖关系 | 第93-94页 |
·对发射方位角的依赖关系 | 第94-97页 |
·与经典结果的比较 | 第97页 |
·晶体结构的影响 | 第97-99页 |
·EMDDF对俄歇电子能量的依赖关系 | 第99页 |
·平均逃逸深度 | 第99-102页 |
·本章小结 | 第102-104页 |
第5章 玻姆量子轨迹方法研究电子衍射 | 第104-120页 |
·背景介绍 | 第104-105页 |
·理论基础 | 第105-107页 |
·弹性散射结果 | 第107-116页 |
·二维模型晶体 | 第107-110页 |
·三维模型晶体 | 第110-112页 |
·Cu单晶中电子衍射动力学 | 第112-116页 |
·量子Monte Carlo方法研究电子能谱 | 第116-119页 |
·量子Monte Carlo方法 | 第116-117页 |
·量子Monte Carlo方法研究结果 | 第117-119页 |
·本章小结 | 第119-120页 |
第6章 氦原子三维实空间散射的量子轨迹方法研究 | 第120-132页 |
·背景介绍 | 第120-122页 |
·理论方法 | 第122-125页 |
·结果与讨论 | 第125-130页 |
·本章小结 | 第130-132页 |
第7章 背散射电子衍射成像动力学模拟 | 第132-148页 |
·引言 | 第132-135页 |
·EBSD发展历程 | 第132页 |
·EBSD实验装置 | 第132-133页 |
·EBSP的特点 | 第133-134页 |
·EBSD的分辨率 | 第134页 |
·EBSD的应用 | 第134-135页 |
·背散射电子衍射理论基础 | 第135-144页 |
·菊池花样形成的几何学 | 第135-138页 |
·背散射电子衍射动力学理论 | 第138-144页 |
·结果与讨论 | 第144-147页 |
·本章小结 | 第147-148页 |
第8章 总结 | 第148-152页 |
参考文献 | 第152-168页 |
附录 | 第168-188页 |
A.1 Bloch波方法(Bloch wave method) | 第168-179页 |
A.1.1 Bloch波方法基本方程 | 第168-169页 |
A.1.2 本征值方程的转换 | 第169-171页 |
A.1.3 边界条件 | 第171-173页 |
A.1.4 激发误差 | 第173页 |
A.1.5 非弹性散射 | 第173-176页 |
A.1.6 非弹性散射本征值方程 | 第176页 |
A.1.7 激发束的选择条件 | 第176-177页 |
A.1.8 本征值方程求解 | 第177-179页 |
A.2 多片层法(Multslice method) | 第179-184页 |
A.2.1 多片层法基本方程 | 第179-181页 |
A.2.2 多片层法计算方法 | 第181页 |
A.2.3 晶体势场的计算 | 第181-182页 |
A.2.4 样品分层厚度选择 | 第182-184页 |
A.3 STEM模拟方法 | 第184-186页 |
A.3.1 探测函数 | 第184页 |
A.3.2 STEM像的衬度计算 | 第184-186页 |
A.4 倒易原理 | 第186-188页 |
致谢 | 第188-190页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第190-192页 |