| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·课题研究的背景和意义 | 第11-14页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的2DEG迁移率的研究进展 | 第14-17页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的2DEG迁移率的研究进展 | 第14-16页 |
| ·应变AlGaN/GaN HEMT器件的2DEG迁移率的研究进展 | 第16-17页 |
| ·目前的问题 | 第17-18页 |
| ·本论文的研究内容及安排 | 第18-20页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT的物理特性和基本原理 | 第20-40页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的极化效应 | 第20-22页 |
| ·自发极化 | 第20-21页 |
| ·压电极化 | 第21-22页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT中的2DEG | 第22-29页 |
| ·极化诱导界面电荷——2DEG的形成 | 第22-24页 |
| ·2DEG的电子结构 | 第24-26页 |
| ·极化诱导2DEG的面密度 | 第26-27页 |
| ·表面态 | 第27-29页 |
| ·AlGaN/GaN异质结构中2DEG散射机制 | 第29-38页 |
| ·声子散射 | 第29-31页 |
| ·库伦散射 | 第31-32页 |
| ·界面粗糙散射 | 第32-33页 |
| ·合金散射 | 第33页 |
| ·位错散射 | 第33-35页 |
| ·偶极子散射 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 双轴应变下GaN相关物理参数的模拟计算 | 第40-59页 |
| ·参数计算的目的和意义 | 第40-41页 |
| ·密度泛函理论 | 第41-47页 |
| ·薛定谔方程的求解 | 第41-44页 |
| ·Hohenburg-Kohn定理 | 第44-45页 |
| ·局域密度近似 | 第45-47页 |
| ·计算的过程和方法 | 第47页 |
| ·计算结果与分析 | 第47-57页 |
| ·能带结构 | 第48-49页 |
| ·极化光学声子能量 | 第49页 |
| ·高频介电常数 | 第49-51页 |
| ·低频介电常数 | 第51-53页 |
| ·弹性常数 | 第53-54页 |
| ·有效质量 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 双轴应变对AlGaN/GaN 2DEG散射机制的影响 | 第59-70页 |
| ·应变对声子散射的影响 | 第59-62页 |
| ·声学形变势散射 | 第59-60页 |
| ·极化光学声子散射 | 第60-61页 |
| ·压电声子散射 | 第61-62页 |
| ·应变对其它散射机制的影响 | 第62-69页 |
| ·库伦散射 | 第62-63页 |
| ·界面粗糙散射 | 第63-64页 |
| ·合金散射 | 第64-66页 |
| ·位错散射 | 第66-67页 |
| ·偶极子散射 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 双轴应变下AlGaN/GaN HEMT 2DEG迁移率的计算 | 第70-80页 |
| ·双轴应变对室温下2DEG迁移率的影响 | 第70-73页 |
| ·双轴应变对低温(77K)2DEG迁移率的影响 | 第73-75页 |
| ·双轴应变对不同浓度下2DEG迁移率的影响 | 第75-77页 |
| ·PZT/AlGaN/GaN结构—电场实时调制迁移率的探索 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第六章 总结 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-90页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第90页 |
