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数字电路容错设计与研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-7页
致谢第7-12页
第一章 绪论第12-17页
   ·电路容错技术的背景及意义第12-14页
     ·研究背景第12-13页
     ·研究现状第13-14页
   ·研究内容、拟解决的关键问题及创新之处第14-15页
     ·研究内容第14-15页
     ·拟解决的关键问题第15页
     ·本论文的创新之处第15页
   ·论文结构安排第15-17页
第二章 容软错误技术的相关概念第17-24页
   ·软错误的产生第17-19页
     ·沉积电荷的产生第17-18页
     ·单事件翻转与单事件扰动第18-19页
   ·相关数学模型第19-20页
     ·单指数模型第19页
     ·双指数模型第19-20页
     ·UGC 模型第20页
   ·软错误率的评估技术第20-22页
     ·组合电路SER第21页
     ·时序电路SER第21-22页
   ·软错误的防护技术第22-24页
第三章 单元级电路加固技术第24-33页
   ·组合逻辑单元加固技术第24-26页
     ·复制门法第24页
     ·输出钳位电路法第24-25页
     ·门尺寸重定法第25-26页
   ·时序逻辑单元加固技术第26-33页
     ·TMR-latch 结构第27页
     ·SDT-latch 结构第27-29页
     ·DF-DICE-latch 结构第29-30页
     ·RHBD-latch 结构第30-31页
     ·构造容错时序单元第31-32页
     ·单元容错性能分析第32-33页
第四章 电路级SER 的分析评估第33-38页
   ·软错误率评估方案简介第33-35页
     ·软错误率的计算第33-34页
     ·软错误率评估方案第34-35页
   ·软错误率评估工具BIFT 简介第35-38页
     ·BFIT 原理第35-36页
     ·BFIT 使用第36-38页
第五章 电路级容软错误设计方案第38-48页
   ·流水线电路的加固方案第38-44页
     ·方案概述第38-39页
     ·容错性能提升评估第39-40页
     ·方案开销分析第40-41页
     ·实验结果比较与分析第41-44页
   ·基于BIFT 分析的电路选择性加固第44-48页
     ·选择依据第44页
     ·选择性加固策略第44-45页
     ·实验结果第45-48页
第六章 结束语第48-50页
   ·全文总结第48页
   ·对未来工作的展望第48-50页
参考文献第50-56页
攻读硕士学位期间发表的论文第56-57页

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