| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 引言 | 第11-13页 |
| 1 国内外相关领域的研究进展 | 第13-38页 |
| ·可见光催化剂开发的研究进展 | 第13-20页 |
| ·宽禁带半导体的掺杂改性 | 第13-16页 |
| ·宽禁带半导体的复合改性 | 第16-18页 |
| ·宽禁带半导体的光敏化改性 | 第18-20页 |
| ·新型可见光催化剂的开发 | 第20-26页 |
| ·复合氧化物的设计 | 第21-22页 |
| ·复合氧化物的研究现状 | 第22-23页 |
| ·复合氧化物制备方法 | 第23-25页 |
| ·复合氧化物的研究目前存在的主要问题 | 第25-26页 |
| ·提高光催化剂性能的主要方法 | 第26-28页 |
| ·提高光生电子和空穴的分离效率 | 第26-27页 |
| ·表面改性 | 第27-28页 |
| ·光电催化技术简介 | 第28-30页 |
| ·光电催化技术原理 | 第28-29页 |
| ·光电催化技术的研究现状及应用前景 | 第29-30页 |
| ·可见光催化剂的环境应用研究进展 | 第30-36页 |
| ·难降解污染物的处理 | 第30-33页 |
| ·光分解水制氢 | 第33-34页 |
| ·太阳能电池 | 第34-36页 |
| ·选题依据、目的、意义和内容 | 第36-38页 |
| ·选题的依据 | 第36页 |
| ·研究的目的和意义 | 第36页 |
| ·研究的内容 | 第36-38页 |
| 2 BiVO_4膜的制备、表征及光电催化性能研究 | 第38-66页 |
| ·实验部分 | 第39-43页 |
| ·实验材料、试剂与仪器 | 第39-40页 |
| ·实验方法 | 第40-41页 |
| ·样品的表征 | 第41-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-65页 |
| ·锻烧温度对BiVO_4膜性质的影响 | 第43-48页 |
| ·镀膜次数对BiVO_4膜性质的影响 | 第48-53页 |
| ·最佳条件制备的BiVO_4膜的表征 | 第53-60页 |
| ·BiVO_4膜光电催化降解苯酚 | 第60-63页 |
| ·BiVO_4膜的稳定性的分析 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 3 担载Ag的BiVO_4膜的制备、表征及光电催化性能研究 | 第66-78页 |
| ·实验部分 | 第66-68页 |
| ·实验材料、试剂与仪器 | 第66-67页 |
| ·实验方法 | 第67页 |
| ·样品的表征 | 第67-68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-76页 |
| ·高温煅烧法制备的担载Ag的BiVO_4膜的表征 | 第68-69页 |
| ·光还原法制备的担载Ag的BiVO_4膜的表征 | 第69-72页 |
| ·担载Ag的BiVO_4膜光电催化降解苯酚 | 第72-74页 |
| ·担载Ag的BiVO_4膜的光催化和光电催化降解苯酚的机理探讨 | 第74-76页 |
| ·小结 | 第76-78页 |
| 4 Si掺杂的BiVO_4膜的制备、表征及光电催化性能研究 | 第78-96页 |
| ·实验部分 | 第78-82页 |
| ·实验材料、试剂与仪器 | 第78-79页 |
| ·实验方法 | 第79-80页 |
| ·样品的表征 | 第80-82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-95页 |
| ·Si掺杂的BiVO_4膜的形貌和粒径大小分析 | 第82-83页 |
| ·Si掺杂的BiVO_4膜的化学结构分析 | 第83-86页 |
| ·Si掺杂的BiVO_4膜的表面亲水性分析 | 第86-87页 |
| ·Si掺杂的BiVO_4膜的光吸收性质分析 | 第87-89页 |
| ·Si掺杂的BiVO_4膜的光电化学性质分析 | 第89-90页 |
| ·Si掺杂的BiVO_4膜的光电化学性质分析 | 第90-91页 |
| ·Si掺杂的BiVO_4膜光电催化降解苯酚 | 第91-95页 |
| ·小结 | 第95-96页 |
| 5 结论与建议 | 第96-98页 |
| ·结论 | 第96页 |
| ·建议 | 第96-98页 |
| 创新点摘要 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-114页 |
| 个人简历 | 第114页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
