| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 扫描隧道显微学简介 | 第10-38页 |
| ·扫描隧道显微镜 | 第10-13页 |
| ·扫描隧道显微镜的发明 | 第10-12页 |
| ·STM工作原理和工作模式 | 第12-13页 |
| ·扫描隧道显微学基木原理 | 第13-25页 |
| ·电子隧穿和一维隧穿模型 | 第13-17页 |
| ·Bardeen微扰理论 | 第17-19页 |
| ·Tersoff-Hamann近似 | 第19-21页 |
| ·扫描隧道谱STS | 第21-25页 |
| ·扫描隧道显微镜仪器 | 第25-28页 |
| ·扫描隧道显微镜在表面科学体系中的应用 | 第28-30页 |
| ·密度泛函理论 | 第30-35页 |
| ·Hartree-Fock方程 | 第30-33页 |
| ·电子密度泛函理论 | 第33-34页 |
| ·交换相关泛函近似 | 第34页 |
| ·DFT的计算方法及优势 | 第34-35页 |
| ·本文研究内容 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第二章 金红石型二氧化钛及其(110)表面 | 第38-56页 |
| ·二氧化钛材料简介 | 第38-39页 |
| ·金红石型二氧化钛 | 第39-42页 |
| ·几何结构 | 第40页 |
| ·电子结构 | 第40-41页 |
| ·TiO_2体缺陷 | 第41-42页 |
| ·金红石型TiO_2(110)表面 | 第42-46页 |
| ·有缺陷的TiO_2(110)表面 | 第43-45页 |
| ·无缺陷的TiO_2(110)表面 | 第45-46页 |
| ·TiO_2(110)表面的制备 | 第46-49页 |
| ·TiO_2(110)表面在STM中的研究 | 第49-50页 |
| ·TiO_2(110)表面的密度泛函理论(DFT) | 第50-52页 |
| ·总结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第三章 TiO_2(110)表面桥氧羟基的性质研究 | 第56-76页 |
| ·背景介绍 | 第56-57页 |
| ·样品制备 | 第57-60页 |
| ·部分羟基化TiO_2(110)表面制备 | 第58-59页 |
| ·全部羟基化TiO_2(110)表面制备 | 第59-60页 |
| ·TiO_2(110)表面的桥氧羟基 | 第60-64页 |
| ·桥氧羟基的形成 | 第61-63页 |
| ·桥氧羟基的脱氢反应 | 第63-64页 |
| ·TiO_2(110)表面桥氧羟基STM形貌反转特性研究 | 第64-71页 |
| ·部分羟基化表面形貌反转 | 第66-68页 |
| ·全部羟基化表面的形貌反转 | 第68-69页 |
| ·OH形貌反转现象解释 | 第69-71页 |
| ·总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第四章 金红石型TiO_2(110)表面氧空位对的STM研究 | 第76-108页 |
| ·背景介绍 | 第76-77页 |
| ·氧空位对的获得 | 第77-81页 |
| ·氧空位对的结构和性质 | 第81-85页 |
| ·氧空位对的几何结构 | 第81-82页 |
| ·氧空位对的电子结构 | 第82-84页 |
| ·氧空位对的表面性质 | 第84-85页 |
| ·氧空位对的表面迁移和分解 | 第85-93页 |
| ·以OV为媒介的表面OVP的扩散 | 第85-88页 |
| ·氧空位对的分解 | 第88-90页 |
| ·氧空位对表面迁移参数的测量 | 第90-93页 |
| ·OVP表面迁移过程中的中间态研究 | 第93-98页 |
| ·氧空位对的化学反应活性的测量比较 | 第98-103页 |
| ·总结 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 第五章 TiO_2(110)表面简单气态小分子吸附研究 | 第108-122页 |
| ·背景介绍 | 第108-109页 |
| ·TiO_2(110)表面氧分子的吸附 | 第109-115页 |
| ·有缺陷的TiO_2(110)表面氧分子的吸附 | 第110-113页 |
| ·无缺陷的TiO_2(110)表面氧分子的吸附 | 第113-115页 |
| ·室温下TiO_2(110)表面CO分子的吸附 | 第115-119页 |
| ·总结和展望 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-122页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
