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六硼化镧场发射阵列阴极制备工艺与测试

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-19页
   ·场致发射技术的发展历史第9-11页
   ·场发射阵列阴极应用第11-16页
     ·场发射平板显示第11-13页
     ·在微波管中的应用第13-14页
     ·场发射传感器第14-16页
   ·六硼化镧场发射阵列阴极研究的目的和意义第16-18页
   ·课题研究的内容第18-19页
第二章 场致发射理论第19-29页
   ·场致发射原理第19-24页
     ·表面势垒与电子发射第19-20页
     ·金属表面的场发射方程第20-23页
     ·半导体场致发射第23-24页
     ·内场致发射第24页
   ·场发射理论的精确性第24-25页
   ·空间电荷效应第25-26页
   ·微尖发射体参数与场发射的关系第26-29页
第三章 六硼化镧材料特性与场发射阵列阴极制备工艺第29-49页
   ·六硼化镧的材料特性第29-32页
     ·硼化物的性质与特点第29-31页
     ·六硼化镧材料的物理化学特性第31-32页
   ·场发射阵列阴极制备工艺原理第32-49页
     ·硅片的选择与清洗第33-36页
     ·氧化工艺第36-40页
     ·光刻工艺第40-42页
     ·刻蚀工艺第42-45页
     ·蒸发镀膜工艺第45-47页
     ·溅射镀膜工艺第47-49页
第四章 六硼化镧场发射阵列阴极制作第49-71页
   ·鸟嘴型六硼化镧场发射阵列制备工艺第49-62页
     ·空腔刻蚀工艺第50-52页
     ·真空镀膜实验装置第52-53页
     ·栅极的制作第53-54页
     ·牺牲层工艺第54-56页
     ·沉积的六硼化镧薄膜特性第56-57页
     ·六硼化镧尖锥阵列的沉积工艺第57-60页
     ·鸟嘴型场发射阵列阴极测试第60-62页
   ·Spindt 型六硼化镧场发射阵列制备工艺第62-71页
     ·溅射镀膜制备栅极工艺第63-64页
     ·RIE 空腔刻蚀工艺第64-66页
     ·六硼化镧尖锥阵列的沉积第66-69页
     ·场发射阵列阴极激活工艺第69-71页
第五章 六硼化镧场发射阵列阴极发射性能的测试第71-81页
   ·场发射阵列阴极的封装第71-73页
   ·场发射阵列阴极测试电路设计第73-75页
   ·测试结果及分析第75-81页
第六章 结论与展望第81-83页
   ·本论文的总结第81页
   ·工作展望第81-83页
致谢第83-84页
参考文献第84-87页
个人简历第87页
硕士研究生期间发表的论文第87-88页

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