六硼化镧场发射阵列阴极制备工艺与测试
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-19页 |
·场致发射技术的发展历史 | 第9-11页 |
·场发射阵列阴极应用 | 第11-16页 |
·场发射平板显示 | 第11-13页 |
·在微波管中的应用 | 第13-14页 |
·场发射传感器 | 第14-16页 |
·六硼化镧场发射阵列阴极研究的目的和意义 | 第16-18页 |
·课题研究的内容 | 第18-19页 |
第二章 场致发射理论 | 第19-29页 |
·场致发射原理 | 第19-24页 |
·表面势垒与电子发射 | 第19-20页 |
·金属表面的场发射方程 | 第20-23页 |
·半导体场致发射 | 第23-24页 |
·内场致发射 | 第24页 |
·场发射理论的精确性 | 第24-25页 |
·空间电荷效应 | 第25-26页 |
·微尖发射体参数与场发射的关系 | 第26-29页 |
第三章 六硼化镧材料特性与场发射阵列阴极制备工艺 | 第29-49页 |
·六硼化镧的材料特性 | 第29-32页 |
·硼化物的性质与特点 | 第29-31页 |
·六硼化镧材料的物理化学特性 | 第31-32页 |
·场发射阵列阴极制备工艺原理 | 第32-49页 |
·硅片的选择与清洗 | 第33-36页 |
·氧化工艺 | 第36-40页 |
·光刻工艺 | 第40-42页 |
·刻蚀工艺 | 第42-45页 |
·蒸发镀膜工艺 | 第45-47页 |
·溅射镀膜工艺 | 第47-49页 |
第四章 六硼化镧场发射阵列阴极制作 | 第49-71页 |
·鸟嘴型六硼化镧场发射阵列制备工艺 | 第49-62页 |
·空腔刻蚀工艺 | 第50-52页 |
·真空镀膜实验装置 | 第52-53页 |
·栅极的制作 | 第53-54页 |
·牺牲层工艺 | 第54-56页 |
·沉积的六硼化镧薄膜特性 | 第56-57页 |
·六硼化镧尖锥阵列的沉积工艺 | 第57-60页 |
·鸟嘴型场发射阵列阴极测试 | 第60-62页 |
·Spindt 型六硼化镧场发射阵列制备工艺 | 第62-71页 |
·溅射镀膜制备栅极工艺 | 第63-64页 |
·RIE 空腔刻蚀工艺 | 第64-66页 |
·六硼化镧尖锥阵列的沉积 | 第66-69页 |
·场发射阵列阴极激活工艺 | 第69-71页 |
第五章 六硼化镧场发射阵列阴极发射性能的测试 | 第71-81页 |
·场发射阵列阴极的封装 | 第71-73页 |
·场发射阵列阴极测试电路设计 | 第73-75页 |
·测试结果及分析 | 第75-81页 |
第六章 结论与展望 | 第81-83页 |
·本论文的总结 | 第81页 |
·工作展望 | 第81-83页 |
致谢 | 第83-84页 |
参考文献 | 第84-87页 |
个人简历 | 第87页 |
硕士研究生期间发表的论文 | 第87-88页 |