| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 1 绪论 | 第12-18页 |
| 2 测试和分析方法介绍 | 第18-43页 |
| ·变磁场霍尔效应实验测试系统 | 第18-24页 |
| ·范德堡测量技术介绍 | 第18-20页 |
| ·超导体体测试系统 | 第20-24页 |
| ·磁场下半导体中载流子输运的Boltzmann 理论 | 第24-30页 |
| ·迁移率谱分析和计算技术 | 第30-33页 |
| ·拉曼光谱的仪器和空间相干模型 | 第33-43页 |
| ·拉曼光谱和仪器介绍 | 第33-38页 |
| ·空间相干模型 | 第38-43页 |
| 3 MOVPE 生长的InN 薄膜经典输运 | 第43-61页 |
| ·样品的表征和基本参数 | 第43-44页 |
| ·MOVPE 生长的InN 的MSA 和输运机制研究 | 第44-54页 |
| ·MOVPE 生长的InN 迁移率谱研究 | 第44-47页 |
| ·MOVPE 生长InN 的输运机制 | 第47-54页 |
| ·MOVPE 生长的InN 晶界势垒模型研究 | 第54-58页 |
| ·晶界势垒模型 | 第54-56页 |
| ·势垒高度与磁场强度的关系 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 4 MOVPE 生长的InN 薄膜的量子输运研究 | 第61-79页 |
| ·弱局域化理论概述 | 第61-68页 |
| ·弱局域化概念的提出和发展 | 第61-65页 |
| ·弱局域化理论对电导的量子修正 | 第65-68页 |
| ·MOVPE 生长的InN 薄膜的量子输运 | 第68-76页 |
| ·低温下电导的量子修正 | 第68-71页 |
| ·量子退相干时间 | 第71-74页 |
| ·电阻率和SCM 模型的研究 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-79页 |
| 5 晶格无序对InN 材料电子退相位的影响 | 第79-87页 |
| ·绪言 | 第79页 |
| ·无序对InN 材料量子退相位时间的影响 | 第79-85页 |
| ·SCM 模型和样品的无序 | 第79-81页 |
| ·无序度和量子退相位时间的关系 | 第81-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 6 总结和展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第90页 |