Si3N4-SiO2基复合陶瓷透波材料的制备与研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-20页 |
| ·国内外透波材料的研究进展和发展趋势 | 第8-10页 |
| ·国内外透波材料的研究进展 | 第8-10页 |
| ·发展趋势 | 第10页 |
| ·天线罩的透波原理及结构设计 | 第10-12页 |
| ·透波原理 | 第10-11页 |
| ·天线罩的简易结构 | 第11-12页 |
| ·天线罩的多层罩壁结构 | 第12页 |
| ·材料的介电性能 | 第12-16页 |
| ·介电性能 | 第12-13页 |
| ·影响介电性能的因素 | 第13页 |
| ·复合材料的高温介电性能 | 第13-14页 |
| ·杂质含量对介电性能的影响 | 第14页 |
| ·温度梯度对介电性能的影响 | 第14-15页 |
| ·透波材料介电性能的小结 | 第15-16页 |
| ·氮化硅的结构特征、性能和应用 | 第16-19页 |
| ·氮化硅的结构特征 | 第16-17页 |
| ·氮化硅的性能 | 第17-18页 |
| ·氮化硅的应用 | 第18-19页 |
| ·本课题的目的和意义 | 第19页 |
| ·本课题拟解决的问题 | 第19-20页 |
| 第2章 实验与测试 | 第20-26页 |
| ·致密α-Si3N4基陶瓷的制备 | 第20-24页 |
| ·实验原料 | 第20页 |
| ·实验设计及配比 | 第20-21页 |
| ·实验设备 | 第21页 |
| ·实验过程 | 第21-22页 |
| ·测试 | 第22-24页 |
| ·多孔α-Si3N4基陶瓷的制备 | 第24-26页 |
| ·实验原料 | 第24页 |
| ·实验过程 | 第24-25页 |
| ·测试 | 第25-26页 |
| 第3章 结果与讨论 | 第26-47页 |
| ·致密氮化硅基陶瓷的实验结果与讨论 | 第26-37页 |
| ·烧结试样的物相变化 | 第26-27页 |
| ·烧结温度与致密化的关系 | 第27-29页 |
| ·烧结助剂与致密化的关系 | 第29-30页 |
| ·致密氮化硅陶瓷的力学性能 | 第30-32页 |
| ·致密氮化硅陶瓷的介电性能 | 第32-37页 |
| ·多孔氮化硅基陶瓷的实验结果及讨论 | 第37-47页 |
| ·浆料的流变特性研究 | 第37-41页 |
| ·胚体特性研究 | 第41页 |
| ·胚体特性研究 | 第41-44页 |
| ·注凝成型的关键工艺 | 第44页 |
| ·多孔氮化硅陶瓷的介电性能 | 第44-47页 |
| 第4章 结论 | 第47-48页 |
| ·有关致密氮化硅陶瓷的主要结论 | 第47页 |
| ·有关制备多孔氮化硅陶瓷以及其性能的主要结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
