首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

氧化锌基半导体材料电子陷阱形成及性能研究

第一章 绪论第1-24页
   ·氧化锌压敏电阻第14-16页
   ·压敏特性的形成机理第16-21页
   ·ZNO 压敏电阻的应用第21-22页
   ·本文研究的主要内容第22-24页
第二章 烧结理论基础及热处理工艺第24-32页
   ·烧结的推动力和传递机制第24-26页
   ·烧结过程第26-28页
   ·物质的扩散第28-29页
   ·热处理工艺对压敏陶瓷材料性能的影响第29-32页
第三章 ZNO-V_2O_5基半导体材料的制备及电子陷阱的形成第32-44页
   ·V_2O_5添加时的实验过程第32-39页
   ·实验结果与讨论第39-40页
   ·ZNO 的导电性能分析第40-42页
   ·ZNO 压敏材料电子陷阱的形成第42-43页
   ·结论第43-44页
第四章 低温烧结非线性 ZNO—V_2O_5系压敏陶瓷的研究第44-59页
   ·ZNO/MNO_2的 ESR 实验过程与讨论第44-45页
   ·ZNO/BI_2O_3的 ESR 实验过程与讨论第45-46页
   ·ZNO/Co_2O_3的 ESR 实验过程与讨论第46-47页
   ·ZNO—V_2O_5系压敏陶瓷实验过程与讨论第47-55页
   ·ZNO 系压敏陶瓷的 NTC 效应第55-59页
第五章 压敏陶瓷阻抗谱的研究第59-67页
   ·阻抗谱分析原理第59-65页
   ·ZNO 压敏陶瓷阻抗谱实验过程与讨论第65-66页
   ·结论第66-67页
第六章 总结与展望第67-69页
   ·本文工作总结及主要结论第67-68页
   ·后续工作展望第68-69页
参考文献第69-74页
致谢第74-75页
攻读硕士学位期间发表的论文第75页

论文共75页,点击 下载论文
上一篇:微分方程描述的捕食链Chemostat系统定性分析
下一篇:透水性生态混凝土的制备及抗冻性研究