首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--光电子技术、激光技术论文--红外技术及仪器论文--红外探测、红外探测器论文

硅基锗量子点近红外探测器的研究和改进

第1章 引言第1-16页
   ·红外探测器概述第7-11页
     ·红外光简介第7页
     ·红外探测器的概念和分类第7-8页
     ·红外探测器的主要性能指标第8-10页
     ·红外探测器的发展和使用第10-11页
   ·硅基锗量子点近红外探测器第11-15页
     ·概述第11-12页
     ·基本结构和工作原理第12-14页
     ·发展现状第14-15页
   ·本论文的结构安排第15-16页
第2章 结构模拟第16-35页
   ·原理描述第16-28页
     ·增透膜的简单原理第16-18页
     ·理论模型第18-26页
     ·实际模型的建立第26-28页
   ·模拟和计算的结果第28-33页
     ·基于简单原理的增透膜选择第28页
     ·多层量子点结构层数选择第28-31页
     ·Si 填充层厚度的选择第31-32页
     ·增透膜的厚度和类型的选择第32-33页
   ·本章小结第33-35页
第3章 材料生长第35-46页
   ·样品#0309第35-40页
     ·样品#0309 的结构图第36页
     ·样品#0309 的AFM 测试第36-38页
     ·样品#0309 的PL 谱第38-39页
     ·样品#0309 的TEM 测试第39-40页
   ·样品#0411xx 系列第40-44页
     ·样品#041101 和#041102 的材料结构第40-41页
     ·样品#041101 和#041102 的拉曼测试第41页
     ·样品#041103 的材料结构第41-43页
     ·样品#041103 的拉曼测试第43页
     ·样品#0411xx 系列的XRD 测试第43-44页
   ·本章小结第44-46页
第4章 工艺流水过程第46-57页
   ·版图说明第46-47页
   ·工艺流程第47-50页
     ·样品#041101 的工艺流程第47-49页
     ·样品#041102 的工艺流程第49-50页
     ·样品#041103 的工艺流程第50页
   ·特殊工艺步骤的说明第50-53页
     ·使用LPCVD 生长并致密的SiO_2 膜作为RIE 刻蚀的保护膜第50-51页
     ·使用热探针作为判据的湿法刻蚀第51-52页
     ·对准溅射和旋转溅射结合的Al 溅射第52-53页
   ·器件照片第53-56页
   ·本章小结第56-57页
第5章 测试第57-70页
   ·测试准备第57-60页
     ·器件封装第57-58页
     ·测试设备和测试方法第58-60页
   ·数据处理第60-61页
     ·照射光强第60页
     ·响应度的计算第60-61页
   ·测试结果第61-64页
     ·样品#0309 的测试结果第61-62页
     ·样品#0411xx 系列的测试结果第62-64页
   ·结果分析第64-69页
     ·暗电流比较第64页
     ·材料结构引起的差别第64-66页
     ·衬底类型不同的器件特性第66页
     ·表面SiO_2 覆盖层的影响第66-67页
     ·增透膜的作用第67-69页
   ·本章小结第69-70页
第6章 总结第70-72页
   ·本论文的主要工作和成果第70-71页
   ·对进一步研究工作的展望第71-72页
参考文献第72-74页
致谢第74页
声明第74-75页
附录第75-84页
 附录 A GSE 系统的主要组成部分第75-76页
 附录 B 样品#0309 的生长过程参数第76-77页
 附录 C SiGe Raman Spectra第77-78页
 附录 D 样品#0309 的版图第78-79页
 附录 E 样品#041101 的版图第79-80页
 附录 F 样品#0309 的工艺流程卡第80-81页
 附件 G 样品#041101/02 的流程卡第81-82页
 附录 H 样品#041103 的流程卡第82-83页
 附录 I 光纤万用表探头参数第83-84页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第84页

论文共84页,点击 下载论文
上一篇:基于WorldFIP现场总线协议的电流—总线转换器的开发
下一篇:中学优等生认知方式特点研究