第1章 引言 | 第1-16页 |
·红外探测器概述 | 第7-11页 |
·红外光简介 | 第7页 |
·红外探测器的概念和分类 | 第7-8页 |
·红外探测器的主要性能指标 | 第8-10页 |
·红外探测器的发展和使用 | 第10-11页 |
·硅基锗量子点近红外探测器 | 第11-15页 |
·概述 | 第11-12页 |
·基本结构和工作原理 | 第12-14页 |
·发展现状 | 第14-15页 |
·本论文的结构安排 | 第15-16页 |
第2章 结构模拟 | 第16-35页 |
·原理描述 | 第16-28页 |
·增透膜的简单原理 | 第16-18页 |
·理论模型 | 第18-26页 |
·实际模型的建立 | 第26-28页 |
·模拟和计算的结果 | 第28-33页 |
·基于简单原理的增透膜选择 | 第28页 |
·多层量子点结构层数选择 | 第28-31页 |
·Si 填充层厚度的选择 | 第31-32页 |
·增透膜的厚度和类型的选择 | 第32-33页 |
·本章小结 | 第33-35页 |
第3章 材料生长 | 第35-46页 |
·样品#0309 | 第35-40页 |
·样品#0309 的结构图 | 第36页 |
·样品#0309 的AFM 测试 | 第36-38页 |
·样品#0309 的PL 谱 | 第38-39页 |
·样品#0309 的TEM 测试 | 第39-40页 |
·样品#0411xx 系列 | 第40-44页 |
·样品#041101 和#041102 的材料结构 | 第40-41页 |
·样品#041101 和#041102 的拉曼测试 | 第41页 |
·样品#041103 的材料结构 | 第41-43页 |
·样品#041103 的拉曼测试 | 第43页 |
·样品#0411xx 系列的XRD 测试 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-46页 |
第4章 工艺流水过程 | 第46-57页 |
·版图说明 | 第46-47页 |
·工艺流程 | 第47-50页 |
·样品#041101 的工艺流程 | 第47-49页 |
·样品#041102 的工艺流程 | 第49-50页 |
·样品#041103 的工艺流程 | 第50页 |
·特殊工艺步骤的说明 | 第50-53页 |
·使用LPCVD 生长并致密的SiO_2 膜作为RIE 刻蚀的保护膜 | 第50-51页 |
·使用热探针作为判据的湿法刻蚀 | 第51-52页 |
·对准溅射和旋转溅射结合的Al 溅射 | 第52-53页 |
·器件照片 | 第53-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
第5章 测试 | 第57-70页 |
·测试准备 | 第57-60页 |
·器件封装 | 第57-58页 |
·测试设备和测试方法 | 第58-60页 |
·数据处理 | 第60-61页 |
·照射光强 | 第60页 |
·响应度的计算 | 第60-61页 |
·测试结果 | 第61-64页 |
·样品#0309 的测试结果 | 第61-62页 |
·样品#0411xx 系列的测试结果 | 第62-64页 |
·结果分析 | 第64-69页 |
·暗电流比较 | 第64页 |
·材料结构引起的差别 | 第64-66页 |
·衬底类型不同的器件特性 | 第66页 |
·表面SiO_2 覆盖层的影响 | 第66-67页 |
·增透膜的作用 | 第67-69页 |
·本章小结 | 第69-70页 |
第6章 总结 | 第70-72页 |
·本论文的主要工作和成果 | 第70-71页 |
·对进一步研究工作的展望 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-74页 |
致谢 | 第74页 |
声明 | 第74-75页 |
附录 | 第75-84页 |
附录 A GSE 系统的主要组成部分 | 第75-76页 |
附录 B 样品#0309 的生长过程参数 | 第76-77页 |
附录 C SiGe Raman Spectra | 第77-78页 |
附录 D 样品#0309 的版图 | 第78-79页 |
附录 E 样品#041101 的版图 | 第79-80页 |
附录 F 样品#0309 的工艺流程卡 | 第80-81页 |
附件 G 样品#041101/02 的流程卡 | 第81-82页 |
附录 H 样品#041103 的流程卡 | 第82-83页 |
附录 I 光纤万用表探头参数 | 第83-84页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第84页 |