80C196KC单片机中子和γ综合电离辐射效应研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·辐射环境 | 第7-8页 |
| ·辐射效应 | 第8-10页 |
| ·研究现状 | 第10-13页 |
| ·国外研究现状 | 第10-12页 |
| ·国内研究现状 | 第12-13页 |
| ·课题背景及研究途径、意义 | 第13-14页 |
| ·研究对象 | 第13页 |
| ·研究途径 | 第13页 |
| ·综合辐照环境 | 第13-14页 |
| ·研究意义 | 第14页 |
| ·本文的研究思路及步骤 | 第14-15页 |
| ·论文的内容安排 | 第15-16页 |
| 第二章 电离辐射效应的基础理论及试验分析 | 第16-35页 |
| ·概述 | 第16页 |
| ·MOS结构的电离辐射效应 | 第16-26页 |
| ·MOSFET的工作原理 | 第16-18页 |
| ·电离辐照的微观解释 | 第18-20页 |
| ·电离辐照引入的电荷种类 | 第18-19页 |
| ·氧化物陷阱电荷的产生及其性质 | 第19页 |
| ·界面陷阱电荷的产生及其性质 | 第19-20页 |
| ·参数变化的详细分析 | 第20-26页 |
| ·电离辐射对阈值电压的影响 | 第21-24页 |
| ·电离辐射对跨导的影响 | 第24页 |
| ·电离辐射对漏电流的影响 | 第24-26页 |
| ·电离辐射对其它参数的影响 | 第26页 |
| ·中子和γ的电离辐照效应 | 第26-30页 |
| ·中子的电离辐照效应 | 第26-28页 |
| ·γ的电离辐射效应 | 第28-30页 |
| ·中子和γ的综合辐照效应 | 第30页 |
| ·不同材料的电离辐射效应 | 第30-31页 |
| ·试验条件分析 | 第31-35页 |
| ·单片机80C196KC介绍 | 第31-32页 |
| ·试验源分析 | 第32-33页 |
| ·试验影响因素 | 第33-34页 |
| ·试验失效判据 | 第34-35页 |
| 第三章 试验工作及相关分析 | 第35-56页 |
| ·概述 | 第35页 |
| ·试验准备工作 | 第35-39页 |
| ·试验板的准备 | 第35-36页 |
| ·测量方法 | 第36-38页 |
| ·试验目的 | 第38页 |
| ·样品确定及试验安排 | 第38-39页 |
| ·试验情况及分析 | 第39-48页 |
| ·钴源试验 | 第39-44页 |
| ·反应堆试验 | 第44-47页 |
| ·综合比较 | 第47-48页 |
| ·试验结果论证 | 第48-50页 |
| ·试验总结 | 第50-55页 |
| ·推广 | 第55-56页 |
| 第四章 结束语 | 第56-59页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| ·不足之处 | 第57页 |
| ·工作展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 附录 攻渎硕士学位期间发表的论文 | 第63页 |
