| 第一章 绪言 | 第1-19页 |
| 1． 1 研究背景 | 第16页 |
| 1． 2 问题的提出 | 第16-17页 |
| 1． 3 本文的工作 | 第17-19页 |
| 第二章 光子晶体的基本理论和研究现状 | 第19-53页 |
| 2． 1 引言 | 第19-20页 |
| 2． 2 光子晶体的基本概念和特征 | 第20-22页 |
| 2． 3 光子带隙的物理机制、计算方法和影响因素 | 第22-30页 |
| 2． 3． 1 光子带隙产生的物理机制 | 第22-25页 |
| 2． 3． 2 理论计算方法 | 第25-27页 |
| 2． 3． 3 光子带隙的影响因素及完全光子带隙的实现 | 第27-30页 |
| 2． 4 光子晶体的制备 | 第30-37页 |
| 2． 4． 1 精密加工法 | 第31-32页 |
| 2． 4． 2 自组装法 | 第32-37页 |
| 2． 5 光子晶体的研究热点、趋势和应用前景 | 第37-39页 |
| 2． 6 金属基光子晶体 | 第39-43页 |
| 2． 6． 1 金属基光子晶体的完全光子带隙 | 第39-41页 |
| 2． 6． 2 金属银完全带隙光子晶体 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-53页 |
| 第三章 实验方法 | 第53-60页 |
| 3． 1 实验方法和依据 | 第53-54页 |
| 3． 2 样品的制备 | 第54-56页 |
| 3． 2． 1 沉降法自组装光子晶体 | 第54页 |
| 3． 2． 2 挤压法自组装光子晶体 | 第54-55页 |
| 3． 2． 3 单分散纳米银颗粒的制备 | 第55-56页 |
| 3． 3 材料组成、结构、状态与性能表征 | 第56-59页 |
| 3． 3． 1 透射电子显微镜(TEM) | 第56-57页 |
| 3． 3． 2 扫描电子显微镜(SEM) | 第57页 |
| 3． 3． 3 x射线衍射(XRD) | 第57页 |
| 3． 3． 4 紫外可见光谱(UV-Vis) | 第57页 |
| 3． 3． 5 傅立叶变换红外光谱(FT-IR) | 第57页 |
| 3． 3． 6 孔径和比表面分析(BET) | 第57-58页 |
| 3． 3． 7 x射线能谱(EDX) | 第58页 |
| 3． 3． 8 x射线光电子能谱分析(XPS) | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第四章 光子晶体用亚微米SiO_2微球的制备 | 第60-85页 |
| 4． 1 引言 | 第60页 |
| 4． 2 亚微米SiO_2微球湿化学制备研究 | 第60-68页 |
| 4． 2． 1 sol-gel工艺条件对SiO_2微球形成和质量的影响 | 第60-68页 |
| 4． 2． 2 传统sol-gel工艺的局限 | 第68页 |
| 4． 3 高质量亚微米SiO_2微球的多步生长制备方法 | 第68-78页 |
| 4． 3． 1 方法思路及制备工艺 | 第68-73页 |
| 4． 3． 2 制备过程及技术特征 | 第73-78页 |
| 4． 4 微球形成规律与动力学控制 | 第78-81页 |
| 4． 5 亚微米SiO_2微球的IR和BET表征 | 第81-83页 |
| 4． 6 结论 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第五章 SiO_2光子晶体的自组装制备及其不完全带隙研究 | 第85-127页 |
| 5． 1 引言 | 第85页 |
| 5． 2 光子晶体的自组装制备 | 第85-97页 |
| 5． 2． 1 沉降自组装光子晶体 | 第86-88页 |
| 5． 2． 3 挤压自组装光子晶体 | 第88-90页 |
| 5． 2． 4 提拉自组装光子晶体 | 第90-96页 |
| 5． 2． 5 自组装光子晶体的晶体结构类型和取向 | 第96-97页 |
| 5． 3 自组装光子晶体的缺陷 | 第97-102页 |
| 5． 3． 1 空位缺陷 | 第97-98页 |
| 5． 3． 2 位错与层错 | 第98-100页 |
| 5． 3． 3 裂纹 | 第100-101页 |
| 5． 3． 4 改善光子晶体质量的方法 | 第101-102页 |
| 5． 4 SiO_2面心立方光子晶体不完全带隙研究 | 第102-106页 |
| 5． 4． 1 不完全光子带隙的UV-Vis光谱表征 | 第102-104页 |
| 5． 4． 2 不同组装方法制备的光子晶体的带隙 | 第104-106页 |
| 5． 5 SiO_2面心立方光子晶体结构与光带隙关联 | 第106-114页 |
| 5． 5． 1 面心立方第一Brillouim区与不完全光子带隙 | 第106-108页 |
| 5． 5． 2 光子带隙随入射光方向的变化 | 第108-114页 |
| 5． 6 提拉自组装光子晶体[111] 晶向的精密定向 | 第114-117页 |
| 5． 7 提拉自组装光子晶体结构参数的确定 | 第117-118页 |
| 5． 8 提拉自组装光子晶体L-U-X方向的能带 | 第118-123页 |
| 5． 9 结论 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-127页 |
| 第六章 亚微米SiO_2微球表面的金属化 | 第127-168页 |
| 6． 1 引言 | 第127-128页 |
| 6． 2 亚微米SiO_2微球表面纳米银层的制备研究 | 第128-130页 |
| 6． 2． 1 SiO_2微球表面直接沉积银 | 第128页 |
| 6． 2． 2 化学镀法包覆亚微米SiO_2微球 | 第128-130页 |
| 6． 3 成核-生长完全分离的厚度可控的纳米银层制备方法 | 第130-146页 |
| 6． 3． 1 方法思路及技术特征 | 第131-134页 |
| 6． 3． 2 制备方法 | 第134-137页 |
| 6． 3． 3 晶核的形成控制及动力学研究 | 第137-140页 |
| 6． 3． 4 晶核的生长控制及动力学研究 | 第140-144页 |
| 6． 3． 5 晶核生长控制的其它探索 | 第144-146页 |
| 6． 4 Ag包覆亚微米SiO_2微球的光散射与吸收 | 第146-157页 |
| 6． 4． 1 金属颗粒等离子共振的机制及其影响因素 | 第146-148页 |
| 6． 4． 2 SiO_2微球表面及游离银颗粒的UV-Vis光谱 | 第148-152页 |
| 6． 4． 3 等离子峰剧烈位移和展宽的原因 | 第152-155页 |
| 6． 4． 4 一种评价SiO_2亚微米微球表面纳米银颗粒覆盖度的方法 | 第155-157页 |
| 6． 5 SiO_2微球表面银层的微结构和价态分析 | 第157-162页 |
| 6． 6 表面镀银SiO_2微球的自组装排列 | 第162-164页 |
| 6． 7 结论 | 第164-165页 |
| 参考文献 | 第165-168页 |
| 第七章 SiO_2 Ag球表面SiO_2介质膜的制备 | 第168-184页 |
| 7． 1 引言 | 第168-169页 |
| 7． 2 SiO_2 Ag球表面纳米SiO_2层的直接沉积 | 第169-171页 |
| 7． 3 SiO_2 Ag球表面APS和PVP改性制备纳米SiO_2层 | 第171-173页 |
| 7． 4 SiO_2 Ag球表面APS和PVP复合改性制备纳米SiO_2层 | 第173-177页 |
| 7． 5 SiO_2 Ag球表面纳米SiO_2层的厚度控制 | 第177-179页 |
| 7． 6 SiO_2 Ag球表面纳米SiO_2层的XPS表征 | 第179-180页 |
| 7． 7 金属基光子晶体的自组装制备 | 第180-182页 |
| 7． 8 结论 | 第182-183页 |
| 参考文献 | 第183-184页 |
| 第八章 结论 | 第184-188页 |
| 致谢 | 第188-190页 |
| 发表及提交的论文与专利 | 第190页 |
