| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-11页 |
| 1 绪 论 | 第11-26页 |
| ·电致变色器件的基本结构与材料 | 第12-17页 |
| ·透明导电层(Transparent Conducting Layer) | 第12-13页 |
| ·电致变色层(Electrochromic Layer) | 第13-15页 |
| ·离子导体层(Iron Conducting Layer) | 第15-16页 |
| ·离子存贮层(Counterelectrode Layer) | 第16-17页 |
| ·电致变色的工作原理 | 第17-18页 |
| ·电致变色的机理 | 第18-19页 |
| ·色心模型 | 第18页 |
| ·价间电荷迁移模型 | 第18-19页 |
| ·极化模型 | 第19页 |
| ·自由载流子模型 | 第19页 |
| ·常用的薄膜制备工艺 | 第19-22页 |
| ·溅射沉积 | 第19-20页 |
| ·化学气相沉积 | 第20-21页 |
| ·真空蒸发沉积 | 第21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第21-22页 |
| ·电致变色材料及器件的应用 | 第22-24页 |
| ·电致变色显示器件(ECD) | 第22页 |
| ·电致变色灵巧窗(Smart Window) | 第22-23页 |
| ·无眩反光镜(Glare-free Mirror) | 第23-24页 |
| ·电色储存器件 | 第24页 |
| ·目前存在的问题 | 第24-25页 |
| ·本课题研究的目的及意义 | 第25-26页 |
| 2 溅射镀膜原理 | 第26-30页 |
| ·溅射机理及特点 | 第26-27页 |
| ·基本溅射类型 | 第27-30页 |
| ·直流溅射 | 第27-28页 |
| ·射频溅射 | 第28页 |
| ·反应溅射 | 第28-29页 |
| ·磁控溅射 | 第29-30页 |
| 3 实 验 | 第30-33页 |
| ·实验设备及材料 | 第30页 |
| ·薄膜的制备 | 第30-32页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第32-33页 |
| 4 WOx薄膜的电致变色特性和结构研究 | 第33-47页 |
| ·工艺参数对WOx薄膜电致变色特性和结构的影响 | 第33-40页 |
| ·氧分量对WOx薄膜电致变色性能的影响 | 第33-35页 |
| ·溅射功率对WOx薄膜电致变色性能的影响 | 第35-37页 |
| ·溅射温度对WOx薄膜电致变色性能的影响 | 第37-38页 |
| ·其他溅射因素对WOx薄膜电致变色性能的影响 | 第38-39页 |
| ·薄膜的结构--X射线衍射分析 | 第39-40页 |
| ·电致变色反应过程中WOx薄膜光学性质和结构的变化 | 第40-44页 |
| ·薄膜的光学性质 | 第40-41页 |
| ·薄膜的结构变化--X射线衍射分析 | 第41-43页 |
| ·薄膜的表面形貌--扫描隧道显微镜(STM)分析 | 第43-44页 |
| ·薄膜的开关响应时间、记忆存储能力和循环寿命 | 第44-46页 |
| ·开关响应时间 | 第44-45页 |
| ·记忆存储能力 | 第45页 |
| ·循环寿命 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 5 WOx:Mo薄膜的电致变色特性和结构研究 | 第47-55页 |
| ·掺杂方式对WOx薄膜电致变色特性的影响 | 第47-49页 |
| ·相对掺杂量对WOx薄膜电致变色性能的影响 | 第49-52页 |
| ·薄膜的结构分析--X射线衍射分析 | 第52-53页 |
| ·薄膜的开关响应时间、记忆存储能力和循环寿命 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 6 V2O5薄膜的电致变色特性研究 | 第55-61页 |
| ·氧分量对V2O5薄膜电致变色性能的影响 | 第57-58页 |
| ·溅射功率对V2O5薄膜电致变色性能的影响 | 第58页 |
| ·溅射温度对V2O5薄膜电致变色性能的影响 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 7 结 论 | 第61-62页 |
| 致 谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 附 录 | 第68-69页 |
