首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按结构和性能分论文

GaInP/AlGaInP多量子阱外延片的生长与光学性质研究

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
绪论第9-13页
   ·发光二极管的发展简介第9-10页
   ·高亮度发光二极管的关键技术及发展第10-11页
   ·本论文的工作意义第11-12页
   ·本论文的主要工作第12-13页
第一章 高亮度发光二极管第13-22页
   ·发光二极管的工作原理第13-17页
   ·高亮度发光二极管的器件结构第17-20页
   ·发光二极管的制备工艺第20-22页
第二章 MOCVD技术概述第22-29页
   ·MOCVD技术的特点第22-23页
   ·MOCVD的源材料第23-24页
   ·MOCVD的生产设备第24-29页
第三章 GaInP/AlGaInP MQW结构外延片的测试第29-43页
   ·GaInP/AlGaInP MQW结构外延片X射线双晶衍射测试第29-30页
   ·GaInP/AlGaInP MQW结构外延片电化学C-V测试第30页
   ·GaInP/AlGaInP MQW结构外延片光致发光测试第30-34页
   ·GaInP/AlGaInP MQW结构外延片喇曼测试第34-43页
第四章 GaInP/AlGaInP MQW结构外延片光致发光光谱研究第43-55页
   ·GaInP/AlGaInP MQW结构外延片的光致发光光谱特性分析第43-47页
   ·GaInP/AlGaInP MQW结构外延片的结构参数与发光特性第47-55页
第五章 GaInP/AlGaInP MQW结构外延片的喇曼光谱测试与Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子谱第55-80页
   ·GaInP/AlGaInP MQW外延片的喇曼光谱第55-59页
   ·三元Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子谱第59-67页
   ·四元Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子谱第67-80页
结论第80-82页
致谢第82-83页
硕士期间完成的论文和科研项目第83-84页

论文共84页,点击 下载论文
上一篇:组件对象技术在旅游信息系统开发中的应用研究
下一篇:Kikuchi淋巴结炎病理变化规律与发病机制研究