中文摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第一章 绪论 | 第10-31页 |
·引言 | 第10页 |
·化学修饰电极的发展过程 | 第10-11页 |
·化学修饰电极的发展分类 | 第11-14页 |
·共价键合法 | 第11页 |
·吸附型修饰电极 | 第11-12页 |
·聚合物薄膜法 | 第12-14页 |
·其它方法 | 第14页 |
·化学修饰碳糊电极 | 第14-21页 |
·化学修饰碳糊电极的制备 | 第15-16页 |
·粘合剂 | 第16页 |
·CMCPE的处理 | 第16-18页 |
·修饰剂的选择 | 第18-20页 |
·CMCPE的应用 | 第20-21页 |
·展望 | 第21-22页 |
·本文立题思想及主要内容 | 第22页 |
参考文献 | 第22-31页 |
第二章 同时测定铅、镉杯芳烃化学修饰碳糊电极的制备及其分析应用 | 第31-44页 |
·前言 | 第31-32页 |
·实验部分 | 第32-33页 |
·仪器及试剂 | 第32页 |
·化学修饰碳糊电极的制备 | 第32页 |
·实验方法 | 第32-33页 |
·结果与讨论 | 第33-40页 |
·杯芳烃的结构特征 | 第33-34页 |
·电化学响应机理 | 第34页 |
·铅、镉在不同修饰电极上电化学行为的比较 | 第34页 |
·杯芳烃的量对修饰电极富集作用的影响 | 第34-36页 |
·底液及浓度的选择 | 第36页 |
·pH值的影响 | 第36页 |
·富集电位和富集时间的影响 | 第36-37页 |
·线形范围和检测限 | 第37页 |
·干扰实验 | 第37-38页 |
·实际样品的测定 | 第38-40页 |
·结论与展望 | 第40页 |
参考文献 | 第40-44页 |
第三章 铕在蒙脱石化学修饰碳糊电极的电化学研究及其分析应用 | 第44-57页 |
·前言 | 第44-45页 |
·实验部分 | 第45-46页 |
·仪器及试剂 | 第45页 |
·化学修饰碳糊电极的制备 | 第45页 |
·实验方法 | 第45页 |
·土壤样品的制备 | 第45-46页 |
·结果与讨论 | 第46-53页 |
·蒙脱石的结构特征 | 第46-47页 |
·铕在修饰电极上循环伏安行为 | 第47页 |
·方波伏安法 | 第47页 |
·蒙脱石的量对修饰电极富集作用的影响 | 第47-49页 |
·底液及浓度的选择 | 第49页 |
·pH值的影响 | 第49-51页 |
·富集电位和富集时间的影响 | 第51页 |
·线形范围和检测限 | 第51页 |
·干扰实验 | 第51-52页 |
·标准样品的测定 | 第52-53页 |
·结论 | 第53页 |
·设想 | 第53页 |
参考文献 | 第53-57页 |
第四章 金膜化学修饰乙炔黑电极溶出伏安法测定砷 | 第57-67页 |
·前言 | 第57-58页 |
·实验部分 | 第58-59页 |
·仪器及试剂 | 第58页 |
·电极的预处理及修饰 | 第58页 |
·电化学测量 | 第58-59页 |
·结果与讨论 | 第59-64页 |
·金膜的特征 | 第59页 |
·金膜化学修饰乙炔黑电极的SEM图 | 第59页 |
·As在金膜修饰乙炔黑电极的循环伏安行为 | 第59-60页 |
·As在裸乙炔黑电极和修饰电极上的溶出伏安曲线比较 | 第60页 |
·缓冲溶液对峰电流的影响 | 第60-61页 |
·富集电位与富集时间对峰电流的影响 | 第61-62页 |
·扫速的影响 | 第62页 |
·溶液中氧的影响 | 第62-63页 |
·峰电流与砷浓度的关系 | 第63页 |
·干扰实验 | 第63页 |
·样品的测定及回收率实验 | 第63-64页 |
·结论 | 第64页 |
参考文献 | 第64-67页 |
附录 硕士期间发表和待发表的论文 | 第67-68页 |
致谢 | 第68页 |