| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| §1-1 GaAs微波功率场效应晶体管和单片微波集成电路的发展及其重要地位 | 第9-10页 |
| §1-2 GaAs MESFET击穿特性研究状况及其存在的问题 | 第10-11页 |
| §1-3 研究GaAs MESFET击穿特性的意义 | 第11-12页 |
| §1-4 论文主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 砷化镓微波场效应晶体管的工作原理及其制备 | 第14-28页 |
| §2-1 GaAs MESFET的工作原理 | 第14-19页 |
| 2-1-1 电子漂移速度与电场的关系 | 第14页 |
| 2-1-2 电流饱和特性 | 第14-15页 |
| 2-1-3 速度过冲过程概念 | 第15-17页 |
| 2-1-4 GaAs MESFET的结构和特性 | 第17-19页 |
| §2-2 GaAs MESFET的制备 | 第19-28页 |
| 2-2-1 GaAs MESFET的主要工艺 | 第19-26页 |
| 2-2-2 GaAs MESFET结构和制备 | 第26-28页 |
| 第三章 GaAs MESFET击穿机理研究 | 第28-39页 |
| §3-1 表面电荷密度固定的物理模型 | 第28-33页 |
| §3-2 动态表面电荷模型 | 第33-39页 |
| 第四章 不同的表面处理方法对GaAs MESFET击穿特性的影响 | 第39-56页 |
| §4-1 GaAs MESFET表面硫钝化研究 | 第39-45页 |
| 4-1-1 GaAs表面硫钝化研究进展 | 第39-40页 |
| 4-1-2 钝化表面的成分与结构 | 第40-41页 |
| 4-1-3 GaAs表面硫钝化的机理 | 第41-43页 |
| 4-1-4 实验与结果分析 | 第43-45页 |
| §4-2 GaAs MESFET的等离子体表面预处理研究 | 第45-50页 |
| 4-2-1 等离子体表面预处理的概念及其研究进展 | 第45-46页 |
| 4-2-2 GaAs表面的NH_3等离子体预处理 | 第46-49页 |
| 4-2-3 实验与结果分析 | 第49-50页 |
| §4-3 GaAs MESFET表面的去离子水处理研究 | 第50-51页 |
| §4-4 实验方法与结果讨论 | 第51-56页 |
| 4-4-1 实验方法 | 第51-53页 |
| 4-4-2 实验结果和讨论 | 第53-54页 |
| 4-4-3 小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第61页 |
